薄型恒温プレート『LABOPAD Series』

PR当製品で快適な作業を！無菌操作やプロテオミクスの処理に好適

『LABOPAD Series』は、直感的に操作可能で、設置スペースを選ばない コンパクトサイズの薄型恒温プレートです。 「LABOPAD-C2」は0～100℃、「LABOPAD-H2」は室温＋3℃～100℃までに 設定できるドライバスインキュベーター。当製品は、厚さが薄いため、 どこでも簡単に持ち運べます。 また、「LABOPAD-C2」は冷却機能が付いていますので、これまでの...

メーカー・取り扱い企業： トスク株式会社(旧十慈フィールド)

TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察

低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます

ることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密度差・平均質量差・組成差が小さい有機EL膜・Low-k膜・ゲート酸化膜・TEOS膜・BPSG膜などに適用できます。 1) TEM専用機に比べて加速電圧が低いSEM装置によるSTEM観察 測定法：TEM・SEM 製品分野：LSI・メモリ・ディスプレイ・...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

基板側からSIMS分析（SSDP-SIMS）を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極（BドープPoly-Si）から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線光電子分光法）で評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

試料断面における応力分布を確認することが可能です

のラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TFT配線交差部の深さ方向分析

微小領域・ガラス基板についてもSSDPによる分析が可能

二次イオン質量分析法（SIMS）を用いて、市販ＴＦＴ液晶ディスプレイのデータ信号配線とゲート電極配線の交差部（4μm×10μm）を、基板側から分析（SSDP-SIMS）した例を示します。 基板側から測定（SSDP-SIMS）を行うことにより、表面側の高濃度層や金属膜などの影響がないデー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

HALデザイン研究所の強み

企業の皆様が新製品を開発し、既存製品の改良を行うことによって、新事業の…

） ■座って使う（便器、浴槽、椅子等） ■立って・座って使う（畳、介護用設備等） ■立って・背負って使う（ランドセル、バッグ等） ■着て使う（下着等） ■囲って使う（ベビーベッド、ベビーゲート等） ■見て使う（表示物、ディスプレイ、カーナビ、モデルウォーク等） ■聴いて使う（音声ガイダンス、カーナビ、吸音材など） ■認知・判断・操作して使う（予防安全システム等） ※詳しくは...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社HALデザイン研究所

【資料】ナノ材料の物性評価

カーボンブラックの多角的な物性評価

ます。 電気伝導性や熱伝導性に優れるカーボンブラックは、電極材料やゴム・ プラスチック充填剤、顔料など多種の工業用途として利用されています。 その構造は、球形粒子が一次凝集体（アグリゲート）をとり、さらに 二次凝集体（アグロメレート）をとる複雑な構造が知られています。 ここでは、カーボンブラックの物性を多角的に評価し凝集状態を解析します。 【掲載内容】 ■概要 ■...

メーカー・取り扱い企業： マイクロトラック・ベル株式会社

【資料】種々の測定手法によるカーボンブラックの構造評価

各構成粒子の大きさや粒子間の空隙の大きさについて、より詳細な評価を行う…

当資料では、カーボンブラックの物性評価を行ないます。 主にゴム・プラスチックの充填剤、顔料や電極材料に利用される カーボンブラックは、ドメインよって構成される最小単位アグリゲートと、 それらが凝集したアグロメレートと呼ばれる構造をとることが知られています。 カーボンブラックの物性は主に粒子径、粒子表面性状、ストラクチャーです。 【特長】 ■概要 ■評価装...

メーカー・取り扱い企業： マイクロトラック・ベル株式会社

【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

SiCパワーMOS FET（図１）において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました（図２）。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することか...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。Channel Epitaxial層の端部では、Source層に一部濃度の低下が確認されました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエハケース内ウエハの有機汚染評価

製造プロセスおける有機汚染の原因や総量を評価できます

ウエハ表面に有機物が吸着することで、ゲート酸化膜の耐圧劣化など様々な問題が発生することが知られています。そのため、半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれて、無機物だけでなく微量の有機物についても汚染量を把握することが重要になってきて...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST