位置情報 | イプロス医薬食品技術

試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手…

SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。この起電流をEBIC（Electron Beam Induced Current）と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルクの中まで進んでいるような材料の評価に有効です。...詳しくは資...

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［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能 ...

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【分析事例】界面および深さ方向分解能について

SIMS：二次イオン質量分析法

異種材料間の界面のSIMS分析プロファイルは、深さ方向にある幅をもって変化します。これはSIMS分析の特性上、イオンビームミキシングとスパッタ表面の凹凸（ラフネス）の影響を受けるためです。検出している不純物は、混ぜ合わされた深さまでの平均化した情報となり、深さ方向に幅を持った領域のイオンを検出します。そのため、界面位置は一般に主成分元素のイオン強度が50％になる位置と定義しています。......

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【分析事例】リライト材料の層構造分析

無機・有機成分の層構造解析と分子情報の可視化が可能

情報記録材料であるリライト材料を用いた一般的なポイントカードの断面構造について、各層に分布する材料の分子情報や質量を可視化した事例をご紹介します。ポイントカードの断面を、TOF-SIMSを用いて分析を行いました。イメージ像により、構成分子や添加剤の存在が確認できました。また、重ね合わせ像によりそれぞれの位置関係が明確となり、構造の把握ができました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価

水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可…

金属の異物を定性評価したい場合、最表面のみを分析すると異物表面に存在する酸化膜の情報となってしまうため、異物そのものの情報が得られないことがあります。 TOF-SIMSにより深さ方向に分析を行うことで、酸化膜より深い位置にある異物そのものの組成・状態評価が可能です。本資料では、Al系の異物と思われる3箇所の状態を評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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［ED］電子回折法

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です。・物質の結晶学的情報が得られます。透過電子顕微鏡の場合、単結晶では規則正しく並んだ回折斑点(スポット)、多結晶では同心円状の円環、非晶質ではブロードな円環状の電子回折図形となります。・透過電子顕微鏡で観察される微小領域の結晶構造を調べることができます。・結晶構造とEDX法での元素分析結果とを組...

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【分析事例】MSDMについて

TOF-SIMS：飛行時間型二次イオン質量分析法

TOF-SIMSの深さ方向分析では平面上の位置情報(x,y)を無視すると、各深さ(z)で質量スペクトルが存在するため、深さ・質量・スペクトル強度の3次元データが得られます。この3次元データを1枚の画像として可視化したものが、MSDM(Mass S...

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