技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 半導体へのドーパント添加は、電気特性を制御する上で非常に重要な技術であり、添加によるキャリア発生のメカニズムは固体物理の理論に基づいて理解されているが、ドーパント元素における直接的な化学状態や配位環境の...

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技術情報誌 202305-02 加熱in-situ TEM

加熱in-situ TEMを用い、半導体デバイスの熱処理中の材料の構造…

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 半導体デバイスの開発・製造において、熱処理工程における材料の構造変化を把握することは非常に重要である。加熱in-situ TEMを用いることにより、熱処理中の材料の熱挙動をnmレベルで可視化し、構造変化...

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技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要...

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技術情報誌 202304-03 分離膜のナノ貫通孔径の選択的測定

水銀透過法の概要及び既存手法との比較事例を通じて、水銀透過法が機能層の…

生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 サステナブルな社会の実現において、優れた透過性能を持つ膜による省エネで低コストな分離・精製技術の開発がエネルギー、半導体、医療など様々な分野で期待されている。膜の透過性能は細孔構造に支配されるため、高度化した細孔構造を評価するための技術が重要となる。ここでは、東レリサーチセンターが独自に開発した水銀透過法の概要、及...

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技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

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メージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析装置の概要 ３．毛髪断面の分析事例 ４．SiC半導体デバイスの分析事例 ５．まとめ...

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技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析

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よるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ 【図表】 図１　近接場光を利用したラマン分光法 図２　AFM(Atomic Force Microscope)位相像、チューブの存在状態(S:半導体型、M:金属型）、各チューブのRBMスペクトル 図３　AFM-Ramanスペクトル、D/G比分布 図４　交点のAFM-Ramanスペクトル 図５　近接場ラマンの光学系 図６　SiO2/Si...

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