『次世代シーケンサ　受託解析サービス』研究支援サービス

PRシーケンシングから候補遺伝子の絞り込みまで、研究支援のための一貫したソ…

当社は、シーケンシング、候補遺伝子の絞り込み、データ評価のプロセスを カバーする『次世代型シーケンサ受託解析サービス』を行っています。 豊富な知見をもとに、研究テーマに合わせた解析方法の選定をはじめ、 解析後のデータ評価も含め、専門スタッフがサポート。一貫したサービスにより、 お客様の研究成果に繋がるソリューションを提供可能です。 【特長】 ■次世代型シーケンサによる受託解析方...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社メイズ

株式会社イオンテクノセンター　会社案内

イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…

株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、セラミックス、半導体...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

3インチ～12インチまで対応可能　「SOIウェーハ」

3インチ～12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…

CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径：3インチ～12インチ SOI層：2－200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） SiO2(酸化膜）層：0.5－2um程度(0.1-10umも対応可能） 支持基板：300-725um程度（直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） ＊仕様によります...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

今さら聞けない【半導体の基礎知識】～イオン注入～※イラスト解説

半導体の特性の決め手となるイオン注入の一連の流れをイラストを用いて解説…

当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター