【6月FOOMA 2024出展！】高速パウチピッキングロボット

PR【展示会初出展！】小袋製品やパウチなど、軽量薄型ワークの高速ピッキング…

【展示会情報】 ＜FOOMA JAPAN 2024＞ 会期：2024年6月4日（火）〜7日（金） 会場：東京ビッグサイト 東1〜8ホール 弊社ブース：「東3F-71」 【新開発！】 こんなお悩みございませんか？ ・ワークの厚みが薄く、ワーク同士が重なってうまく供給できない ・品種が多く、自動化に諦めていた ・思い通りの能力がでない このような問題を解決したのが、高速パウチピッキングロボット『TＰ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社徳永製作所

遺伝子増幅装置『GENEMAL』食中毒菌や標的遺伝子を迅速検出！

PRコンパクトな装置で遺伝子増幅から検出まで最短30分【食品・検査分野など…

GENEMAL-ジェネマル-は、LAMP法による「等温遺伝子増幅」と「蛍光検出」を短時間で行うことができる小型の蛍光検出装置です。本装置はヒートブロックを有し、装置搭載のタッチパネルで測定条件を設定することで反応条件の最適化が可能です。また、リアルタイムに蛍光を検出することで遺伝子増幅をモニターすることができ、予め設定したパラメーターでの自動判定も可能です。 さらに、同時発売の食中毒菌検出用LA...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ニッポンジーン

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,SEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、ま...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン二次電池の加熱劣化試験

加熱劣化後のサンプルをLC/MS/MS,TOF-SIMS,TEM+ED…

化・信頼性向上などの課題があります。これらの課題を解決するためには、電池の劣化機構の解明が重要です。今回は、温度による劣化機構についての評価のために、加熱劣化試験を行いました。加熱劣化試験後、大幅な容量低下が見られたサンプルについて、電解液をLC/MS/MS、負極表面をTOF-SIMS、負極断面をFIB-TEM+EDXで評価しました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウム二次電池負極表面の劣化評価

大気非暴露で前処理から測定・観察まで行います

容量低下が見られるリチウムイオン二次電池負極表面を大気非暴露で評価した結果、100～200nm程度のCoを含む付着層が確認され、Coは金属状態であることがわかりました。 適用可能な手法観察手法：FIB‐TEM, SEM 表面分析：SIMS,XPS,AES,TOF‐SIMS その他構造評価等も可能です。 測定法：SEM・FIB・TEM・XPS・EDX 製品分野：二次電池 分析目的：化学結合状態...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン二次電池電極の三次元的観察

Slice and Viewによる充填度・ボイドの観察

リチウムイオン二次電池の電極は、正極・負極ともに活物質・導電助剤・バインダから構成されています。 電池の容量や信頼性等の特性には、材料の組合せや配合比・活物質の充填度・ボイド等が大きく影響していますが、このうち、充填度やボイドを観察する方法として完全ドライ雰囲気で加工・観察が出来るFIB-SEM観察が非常...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の出来...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されているこ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン二次電池　Si負極の評価

充電前後の電極の様子およびLiの存在・分布を評価可能

Siは高容量負極活物質の候補の一つですが、充放電時の非常に大きな体積変化のためにサイクル劣化が激しいと言われています。 充電前後のSi負極に関して雰囲気制御環境下で解体、観察をしました。更に、FIBマイクロサ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン二次電池材料の総合評価

課題解決のために各種手法を組み合わせた評価を行います

リチウムイオン二次電池は二次電池の中でも優れた特性を有し、各種携帯機器電源として広く普及しています。その高出力化、高容量化、長寿命化、信頼性向上など、まだ様々な課題が残されています。各種分析手法を用いて電池材料の総合評価が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST