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36件 - メーカー・取り扱い企業
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PR不等速2軸に各々配列の撹拌羽根で、付着性が高い対象物も効率よく混練・造…
新日南『混練・造粒機』は、2500台以上の実績がある「ダウミキサー」ノウハウをもとに、製品化しました。 混練機『ダウミキサーPX型』は、回転速度が異なる2軸(不等速2軸)にらせん状配列の1条/2条巻の多様なパドル構成(複数特許取得)で、セルフクリーニング効果が常に作用して付着性が高い対象物でも効率よい混練効果と圧密効果が得られます。また、この作用で等速2軸式では避けられない、繰返し応力...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社新日南 京浜事業所
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【書籍】実験の自動化・自律化によるR&Dの効率化(No2230)
PR【試読できます】-AI、ロボット技術、ChatGPT、MI、ベイズ最適…
書籍名:実験の自動化・自律化によるR&Dの効率化と運用方法 --------------------- ☆実験者、熟練度、実験日によるバラツキを削減! ☆「ケタ違いの開発スピード」、「圧倒的なコスト削減」を実現する秘策を大公開! --------------------- ■ 本書のポイント 1.担当者に自発的にデータ入力を促すにはどうするか? 2.異なる形式で散在している実験データの集積...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社技術情報協会
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ppmオーダーの微量金属も評価可能です
各種材料の特性を設計・制御するにあたって、母材に微量含まれている元素の種類や量、またそれらの存在状態を明らかにするのは非常に重要です。このうち元素の種類や量に関してはSIMS(二次イオン質量分析法)やICP...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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分子動力学計算によるカーボンナノチューブ曲げ変形シミュレーション
ナノ材料に外力を加えた時の形状変化、歪みエネルギーの評価が可能
カーボンナノチューブは軽量で高い強度、柔軟性を持ったナノ材料であり、その優れた物性から様々な分野への応用が期待されています。一方で、形状変化に伴う物性の変化も知られており、外力に対する変形や歪みの評価が求められています。本資料では、分子動力学計算を用いて単層...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AFM :原子間力顕微鏡法
AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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炭素材料中の官能基や不純物などに起因する脱ガスについて評価可能です
グラフェンの電子放出素子への応用や、カーボンナノチューブへの水素貯蔵など、炭素材料は真空中での用途が増えてきています。そのため真空中での炭素材料からの脱ガスを評価することは、今後の炭素材料の応用の上で重要なポイントとなります。 本事例では真空中において試料からの脱ガスが評価でき...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
a-SiNx)膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料で...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【資料】リチウムイオン二次電池電解液成分の分布シミュレーション
電解液界面近傍の模式図や電解液中の溶媒和構造などを図を用いて詳しく掲載…
リチウムイオン二次電池の充放電過程において、電解液中及び負極との界面近傍では溶媒和の形成、脱溶媒和、電気二重層の形成、Liイオンの脱挿入など様々な現象が生じています。 当資料では、有効遮蔽媒質法とReference Interaction Site ModelをハイブリッドさせたESM-RISM法を用いて、電解液成分のミクロな分布をシミュレーションによって評価した事例をご紹介。 当手法...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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負極の断面構造・表面形状、活物質断面の元素マッピング像など複合的にアプ…
リチウムイオン二次電池の負極での容量低下の一因として、 活物質と電解液の界面反応により活物質表面に様々なリチウム塩化合物が 複合化したSEI(SolidElectrolyteInterphase)と呼ばれる被膜が 形成されることが挙げられています。 電池の性能向上のためには、SEI被膜の組成・厚み・化学結合状態の 制御が求められています。 当資料では、車載用電池の炭素系の負極活...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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X線CTによる観察事例
リチウムイオン二次電池はスマートフォン・デジタルカメラなど、幅広く使われている電池です。リチウムイオン二次電池は充放電を繰り返すことで劣化し、電池が膨らむ現象が発生することがあります。この現象が発生した電池を調査する場合、内部に溜まったガスや電解液等による反応が懸念され、加工には危険を伴うことから非破壊で内部の構造を確認する必要があります。 本事例では充放電を繰り返したリチウムイオン二次電池の...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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~XPSと計算シミュレーションの比較から~ 価電子帯スペクトルからの…
XPSは内殻準位からの光電子スペクトルより物質の組成・結合状態を評価する手法です。一方でフェルミ準位近傍には最外殻電子の状態を反映した価電子帯スペクトルが現れます。本資料では、Sn酸化物に対して第一原理計算によって算出した状態密度とXPSによって取得した価電子帯スペクトルを比較、考察することで、Sn酸化物に対する還元処理の検証を行った事例をご紹介します。 計算シミュレーションを用いることで取得し...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法
半導体や液晶などの製造が行われているクリーンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染(分子状汚染)を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。 ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...詳しいデータはカタロ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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部材同士を接触させ、実プロセスに近い環境での脱ガス評価が可能
はんだを用いた金属の接合は、エレクトロニクス分野において欠かすことのできない工程のひとつです。 金属とはんだが接触した状態で加熱した際の脱ガスは、ボイドの原因となることが知られています。 以下に、銅板にはんだを乗せた状態でTDS分析(昇温脱離ガス分析)を行った事例を紹介します。TDSは部材の加熱に伴う脱ガスを評価可能です。TDS装置内で銅板とはんだを接触させ同時に加熱することで、実プロセスに近...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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複合解析により特定の有機成分の脱離について温度依存性評価が可能です
TDS(昇温脱離ガス分析法)は真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温しながら脱離成分と脱離温度を確認できる手法です。さらに有機物を同定できるGC/MS(ガスクロマトグラフィー質量分析法)とTDSの結果を組み合わせて解析することで、真空中において、特定の脱離成分の脱離温度について評価が可能です。 以下にグラフェンについてTDSとGC/MSの複合解析を実施した例をご紹介します。...詳しいデータはカ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【書籍】造粒プロセスの最適化と設計・操作事例集(No.2227)
【試読できます】★ 各種造粒のメカニズム、プロセス、操作パラメ…
株式会社技術情報協会 -
実験用プラスチック消耗品
【リフィルピペットチップ・未滅菌ピペットチップの特別セール実施…
バイオアライフサイエンスジャパン株式会社 -
【化粧品OEM業向け】生産管理システム「Blendjin」
化粧品OEM業に必要な受注生産管理、品目管理、成分管理や品質検…
株式会社アート・システム 東京本社 -
生産管理システム・Blendjin『品質検査オプション』
HACCP・GMPに役立つ機能を追加。検査仕様書や検査成績書の…
株式会社アート・システム 東京本社