多機能型 摩擦測定機 TL201Tt (摩擦試験機/触覚測定機)

PR独自開発の触覚接触子を使用すれば、しっとり さらさら などの触覚、質感…

『多機能型 静動摩擦測定機　TL201Tt』は、測定に応じて4つのパターンに構成可能。 摩擦係数の測定はもちろんアタッチメントを変えることによって今まで測れなかった様々なサンプルに対応。 ●テーブル移動型 ●測定部移動型 ●測定部上下移動型(オプション) ●回転ディスク型(オプション) 【特長】 ■高精度で低価格を実現 ■シングルモードで摩擦測定 ■リピートモードで耐摩耗測定...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トリニティーラボ 中央事業所

【資料】超高速フローサイトメーターを最大限に活用するヒントとコツ

PRハイスループット処理とマルチプレックス解析を実現！超高速フローサイトメ…

当資料では、超高速のフローサイトメトリープラットフォームを最大限に活用するヒントとコツについて解説しております。 細胞ベースの分析では、細胞単位ベースでの情報を提供する機器としてフローサイトメーターが依然として有力なツールです。 しかし従来のフローサイトメーターは、ハイスループットなデータ獲得が要求される最新の創薬研究に適した設計ではなく、 そのまま研究ワークフローに当てはめようとすると、ワーク...

メーカー・取り扱い企業： ザルトリウス・ジャパン株式会社

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiN...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【プロセッサ・マイクロコントローラ】DSP ラインアップ一覧

センシング情報に対して、フィルタリング、解析のための積和演算を高速に実…

『DSP』は、デジタル信号処理に特化したマイクロプロセッサです。 デジタル化された音声、オーディオ、映像データや、温度、加速度などの センシング情報に対して、フィルタリング、解析のための積和演算を 高速に実行。 一般的には入出力段に高速のAD変換器やDA変換器などを搭載し、 信号処理・制御系などの中核として利用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■マイク...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

部品データ作成ウェブツール『Flotherm PACK』

ウェブ上で必要最低限の情報を入力するだけ！半導体パッケージモデル作成ツ…

『Simcenter Flotherm PACK』は、ウェブ上で半導体パッケージの熱解析モデルを 数分で作成し、提供するツールです。 ウェブブラウザで当製品のサイトにアクセスし、必要最低限の情報を入力。 半導体パッケージモデルデータが自動作成されるので、ダウンロードして 「...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社IDAJ

書籍『レジスト材料の基礎とプロセス最適化』

半導体、ディスプレイ、プリント基板等で欠かせないフォトレジスト材料に…

本書では、フォトレジスト技術に関する幅広い分野をカバーし、実用書としても有意義な内容を構成しています。 具体的には、フォトレジスト材料、プロセス、評価・解析、処理装置までを幅広く網羅し、パターン欠陥などの歩留まり改善やトラブル対策に必須な技術も含まれており、フォトレジスト材料を扱う技術者の一助となるように構成されております。 【本書の特徴】 ➢...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社シーエムシー・リサーチ

【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

像シミュレーションを併用した結晶形の評価

高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

サービス『緊急調達』

半導体・電子部品の緊急調達はおまかせください！

た専属チーム」による対応。 20年以上の経験に裏付けられる豊富なノウハウにより、徹底的に調査。 3.全製品1年間製品保証 全製品を製品代金を上限に当社にて1 年間の製品保証。 当社【解析センター】で徹底的に検査を実施。 4.海外現地法人との連携 コアスタッフ香港/深圳/台湾/タイ/米国/ドイツとの連携で、 アジア・欧米の有力商社の在庫情報をリアルタイムで確認。 ...

メーカー・取り扱い企業： コアスタッフ株式会社

FPGA評価基板『SSD開発向けFPGAボード』

SSDの開発やNANDコントローラの開発・評価に最適な評価基板

ボード/FPGA評価基板です。 アルテラ社製StratixIIIのデバイスはEP3SL110F1152やEP3SE80F 1152など、7つから選択可能。 また、SSD開発用にNAND解析システム（SigNAS）やSSDコント ローラLSI、SSDコントローラ用F/Wなどのソリューションもご用意 しておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■アルテラ社製St...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社シグリード

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

PoE対応イーサネットボード

PoE対応イーサネットボード

Time Protocol (PTP、高精度時間プロトコル)をサポートしており、 PE-2004は、インテリジェント交通システム、産業用オートメーション、ロジスティクス システム、リアルタイム画像解析アプリケーションに最適です。...

メーカー・取り扱い企業： デルフトハイテック株式会社

余剰在庫「0」を実現する【ひとつから】

約50メーカー、約65,000品種を当社で在庫を持ち【ひとつから】購入…

ります。 ※今後もラインナップを増強していく予定です。 3.リードタイム「1日」 在庫は当社長野物流センターに保管しておりますので、14時までのオーダーは当日出荷致します。 4.不良解析、環境調査依頼に対応 ※一部製品はメーカーの都合上対応できない場合もございます。 詳しくは下記URLに記載しております。 https://www.zaikostore.com/zaikosto...

メーカー・取り扱い企業： コアスタッフ株式会社

『高性能ADASの低コスト化に貢献する半導体ソリューション』

ホワイトペーパー進呈中。ADASのコストを抑え、信頼性・安全性・付加価…

インフィニオンのサービスや製品を 日本のお客様にお届けするセールス、マーケティング活動に加え、 日本での先進的な知見を取り入れた製品開発を行っています。 また、ADASの技術開発拠点および解析技術センターを備えるなど、 充実したお客様サポート体制を構築しています。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

【資料】しるとくレポNo.30＃半導体の熱抵抗

熱解析には欠かせない半導体の熱抵抗！代表的な熱抵抗とその式についてご紹…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ 近年の製品は、小型化進展の一方で熱的問題が深刻化し続けており、 当社においてもお客様からの熱解析に関するお問い合わせが増加傾向にあります。 その内容は様々なものがありますが、当レポートでは、熱解析には欠かせない 半導体の熱抵抗について簡単に説明させていただきます。 詳細については...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST