• NMRと分子動力学計算の低分子化合物-タンパク質間相互作用の解析 製品画像

    NMRと分子動力学計算の低分子化合物-タンパク質間相互作用の解析

    PRNMRとMD計算で低分子化合物とタンパク質の相互作用を評価できます。

    生理活性化合物の中には、タンパク質を標的として作用する化合物が数多く存在します。そのため、低分子化合物とタンパク質間の相互作用について構造的な知見を得ることは薬剤の開発にとって非常に重要です。 本資料では、NMRと分子動力学計算を用いて溶液中におけるL-トリプトファンとウシ血清アルブミン(BSA)の相互作用を解析した事例を紹介します。...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせくださ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【資料】超高速フローサイトメーターを最大限に活用するヒントとコツ 製品画像

    【資料】超高速フローサイトメーターを最大限に活用するヒントとコツ

    PRハイスループット処理とマルチプレックス解析を実現!超高速フローサイトメ…

    当資料では、超高速のフローサイトメトリープラットフォームを最大限に活用するヒントとコツについて解説しております。 細胞ベースの分析では、細胞単位ベースでの情報を提供する機器としてフローサイトメーターが依然として有力なツールです。 しかし従来のフローサイトメーターは、ハイスループットなデータ獲得が要求される最新の創薬研究に適した設計ではなく、 そのまま研究ワークフローに当てはめようとすると、ワーク...

    メーカー・取り扱い企業: ザルトリウス・ジャパン株式会社

  • 【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析 製品画像

    【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

    シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

    組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiN...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】DRAMチップの解析 製品画像

    【分析事例】DRAMチップの解析

    製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

    代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice&Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析 製品画像

    【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

    像シミュレーションを併用した結晶形の評価

    高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価 製品画像

    【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

    高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

    半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...

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  • 【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価 製品画像

    【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

    高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

    半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します...

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