SIM像　3D再構築解析受託サービス

ＦＩＢ加工観察装置によるＳＩＭ像の３Ｄ再構築解析の受託を始めました！
材料開発や半導体、基板のトラブル原因解明など、様々な分野で、お役にたちます！

【半導体デバイスの故障解析やワーク断面・積層構造を高精度高分解能で観察】
集束イオンビーム(FIB)加工装置には微小で等間隔ピッチでのスライス加工が出来る他、都度画像を
取得できる機能があります。この機能を利用するとワーク断面の高精度露出と高分解能の画像取得
により、微小なワークの不具合の解析として断面形状や積層構造の観察ができます。
例えば、半導体デバイスの故障解析やワイヤーボンドの断面形状の観察、めっきの積層構造や厚さ
の確認等を可能にします。
【特長】
■逐次加工・観察で再構築データを作成
■スライスデータの重ね合わせが高精度で、高品位な３Ｄデータを作成
■スライスピッチは1nm～1μmで設定可能
■高分解能なSIM像観察
■観察対象：200µmまで対応可能
■研磨加工で不具合箇所が消えてしまうような微小な観察対象でも観察可能
※解析例などの詳細については、お問い合わせいただくかまたはカタログをダウンロードしてご覧下さい。 （詳細を見る）

【PRポイント】
○φ1um以下の超微細穴加工が可能
○微細な構造加工が可能 　...etc
【集束イオンビーム（FIB）加工の原理】
数十ナノメートル程度に集束したイオンビームを試料表面で走査する事で発生した2次電子を検出し
顕微鏡像の観察、試料表面の加工が可能。FIBのイオン源にはガリウムイオンを使用しており、その
イオンビームを試料の表面に照射すると、
試料表面から2次電子が発生すると共に、ガリウムイオンが電子と比較してはるかに重い事から、
試料を構成する原子をはじき出すいわゆるスパッタリング現象が発生し、はじき出された原子は
2次イオンとなって試料から飛び出します。これらの現象を利用することで、観察と加工を行います。
【仕様】
・最大ワークサイズ　 50(X)×50(Y)×10(Z)mm
・最小加工サイズ（目安） 溝幅：100nm(～L/D=3）、穴径φ200nm（～L/D=5）
・高プローブ電流による高速＆大面積加工
・極低加速電圧による低ダメージ加工(TEM試料作製等）

※加工例・実績例を掲載中です。詳しくはお問い合わせ、カタログをダウンロードしてご覧下さい。 （詳細を見る）