「エピウェーハ」
1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。
＊直径: 100-200 mm
＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous
＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm
＊Epi厚: 1-150 um
＊Stacking fault: 10 /cm2 以下
＊Thickness Uniformity: 1%
＊Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm)
＊Min25枚より
「エピ受託加工」
1000ohm cmを超えるようなEpi抵抗の高いウェーハや、Epi層が厚いウェーハなども対応させていただきます。
仕様により多層エピ成膜なども対応可能です。
特 徴
・実験用に小ロット（数枚～25枚）から可能
・サブウェーハご指定も可能（お客様よりサブウェーハを支給していただく事も可能です）
・エピ厚さ公差：6-10%以内 (エピ厚さにより変わります）
・抵抗均一性公差：5-15%以内 (抵抗により変わります）
基本情報CZウェーハ エピ受託加工 SiGeエピウェーハ 他
【特徴】
○実験用に小ロット（25枚）から可能
○サブウェーハご指定も可能
○エピ厚さ公差：6-10%以内(エピ厚さにより変わります）
○抵抗均一性公差：5-15%以内(抵抗により変わります）
【エピ受託加工】
○直径：76、100、125、150mm
○ドーパント：Boron, Phosphine, Arsenic
○エピ抵抗率：0.1-800 ohm cm
○エピ厚さ：3-150μ
「多層EPIウェーハ加工」
＊材料支給も対応可能です。
＊数枚から加工可能です。
＊基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。
＊膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。
「SiGe Epiウェーハ」
＊濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です。
＊直径はMAX8インチまで対応可能です。
＊Ge濃度：20%, 60%などご希望の濃度をご指定下さい
＊基板にSiやSOIも使用可能です。
●詳しくはお問い合わせ下さい。
| 価格情報 | お問い合わせ下さい。 |
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| 納期 |
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| 用途／実績例 | ●詳しくはお問い合わせ下さい。 |
カタログCZウェーハ エピ受託加工 SiGeエピウェーハ 他
取扱企業CZウェーハ エピ受託加工 SiGeエピウェーハ 他
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【主な取扱商品】 テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度・パーティクルチェック用・COP対策品）、コインロールウェーハ、SOI、拡散ウェーハ、ＳｉＧｅ、GaAs、Ｇｅ，サファイア、石英、等。 各種加工｛成膜・グラインダー(50μm以下も可能）ダイシング・サイズダウン・パターニング・Si再生研磨加工・洗浄加工}も対応可能です。 【CZウェーハ】 ■直径は1インチ〜450mmに対応可能 ■成膜加工可能 ■テストパターン付ウェーハ(4インチ〜12インチ）も対応 ■レチクルご支給によるテストパターニング受託も対応 【FZウェーハ】 直径30mmから8インチ、0.1 ohmから10k ohm cmを超えるような高抵抗シリコンウェーハを取り扱っております。製法はノンドープ、ガスドープ、中性子照射品などがあり、高ライフタイム、低酸素・低炭素濃度が特徴です。 【用途例】 □各種試作研究開発 □半導体製造装置評価 □太陽電池ウエハ… シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。 化合物半導体や各種電子材料も取り扱っております。
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