株式会社エナテック-製品カタログver2

【取扱商品】
＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。

＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等）

＊SOIウェーハ：高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。

＊パーティクル管理されていないダミーウェーハ（コインロール）も取り扱っております。

＊各種加工：成膜・グラインダー(30μm以下も可能）ダイシング・エッジ部面取り加工・サイズダウン・パターニング・シリコン及び化合物半導体ウェーハ再生（リクレイム）・再洗浄、測定及び分析サービス等も対応可能。
　
シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。
化合物半導体や各種電子材料・ウェーハケース、トレイ、ダイシングテープなどの周辺用品もお問合せ下さい。
国内外より仕様に合う製品をお探しいたします。
他社でお買い上げ済みのウェーハに加工をして納品させていただく事も対応可能です。 （詳細を見る）

「エピウェーハ」
1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。

＊直径: 100-200 mm
＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous
＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm
＊Epi厚: 1-150 um
＊Stacking fault: 10 /cm2 以下
＊Thickness Uniformity: 1%
＊Resistivity Uniformity: 2.5%(抵抗0.1-20 Ohm.cm) / 3%(抵抗>20 Ohm.cm)
＊Min25枚より

「エピ受託加工」
1000ohm cmを超えるようなEpi抵抗の高いウェーハや、Epi層が厚いウェーハなども対応させていただきます。
仕様により多層エピ成膜なども対応可能です。

特　徴
・実験用に小ロット（数枚～25枚）から可能　
・サブウェーハご指定も可能（お客様よりサブウェーハを支給していただく事も可能です）
・エピ厚さ公差：6-10%以内 (エピ厚さにより変わります）
・抵抗均一性公差：5-15%以内 (抵抗により変わります） （詳細を見る）

弊社では、半導体製造装置テスト用のモニターウェーハ・ダミーウェーハ、太陽電池用単結晶シリコンウェーハ・太陽電池用多結晶ウェーハ・ＳＯＩウェーハ・拡散ウェーハなどを取り扱っております。
お客様の用途に合わせて適したウェーハをご紹介させていただきます。
CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。
また貴社でお持ちのウェーハにＥＰＩ成膜を行ったり、SOIウェーハへの加工なども対応可能です。
ＣＺウェーハ以外にも高抵抗ＦＺウェーハやサファイア、ゲルマニウム、化合物半導体、多結晶シリコンなども取り扱っております。
詳しくはお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。
弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。
現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。
詳しくはお問い合わせください。

★Prime Grade FZ ingot（即納可能）
納品時にはメーカーのCofCをおつけします。

仕様
方位: (1-1-1) ± 2 deg.
直径(mm) : 101,60 ± 0,20
長さ(mm) : 200 - 400
第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg.
第二オリフラ(mm) : N.A.
タイプ: N-type/Phosphorous
ライフタイム(microsec) : 1000
抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00
抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00
RRV [%] : N.A.


 （詳細を見る）

NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。

現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。
詳しくはお問い合わせください。

 （詳細を見る）

直径は３０ｍｍ程度～8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。
センサー用FZウェーハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウェーハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT･ダイオード等に利用されています。

＊Prime Grade FZ ingot（即納可能）
納品時には実測値の入ったメーカーのCofCをおつけします。
ウェーハへの加工も可能です。

仕様）
仕上げ: as ground
方位: (1-1-1) ± 2 deg.
直径(mm) : 101,60 ± 0,20
Ingot length (mm) : 200 - 400
第一OF(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg.
第二OF(mm) : N.A.
タイプ：N-type
Lifetime(microsec) : 1000
抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032±700,00
RRV [%] : N.A.

＊在庫は複数本ございます。 （詳細を見る）

CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。

直径：3インチ～12インチ
SOI層：2－200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能）
SiO2(酸化膜）層：0.5－2um程度(0.1-10umも対応可能）
支持基板：300-725um程度（直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能）
＊仕様によりますが新規対応は10枚程度から対応可能です。
＊ウェーハを御支給いただきSOIウェーハへ加工することも可能です。

エナテックはシリコンウェーハ関連品を多数取り扱っており、お客様の御要望に迅速、的確に対応いたします。半導体及び太陽電池製造メーカー等への評価用テストウェーハ・成膜ウェーハ販売(及び再生加工等の受託加工）を主とし、ダミーウェーハの分野においても、国内にSiの選別工程の倉庫を2箇所有し、お客様のニーズにお答えすべく様々な種類のウェーハをご紹介させて頂いております。
詳しくはお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

SOSウェーハはサファイアのR面の基板上にシリコンをエピタキシャル成長させたウェーハです。
圧力センサーなど様々なデバイスに使用されています。また放射線に対する耐性が高いのが特徴です。

3インチ(76mm)、4インチ(100mm)、6インチ(150mm)のSOSウェーハをご紹介可能です。仕様によりますが8インチも対応可能な場合がありますので是非お問い合わせください。

エピ層のドーパントはN型はPhosphorous、P型は Boronになります。

少量から対応可能です。

 （詳細を見る）

コスモフェライト社では安定的に供給されるグレードの良い材料を輸入し、マンガン亜鉛フェライトを製造しております。
インド国内のみならずヨーロッパでも幅広く使用されております。
巻き線が必要な場合にもインド国内の関連会社にて対応可能です。

コスモフェライト社の強み）

＊試作品、カスタム品への素早い対応
＊自社内にＲ＆Ｄ設備を完備し、ツール開発も対応可能
＊形状・グレードの異なる500種類以上のフェライトコア
＊ISO9001、ISO14001、ISO/TS16949取得済み
＊EU RoHS対応

製品は照明器具、UPS/インバーター用トランス、誘導加熱装置、高周波トランス、EMIフィルター、EMC対策用チョークコイル等に使用されております。

【主な仕様】
形状)
リング（トロイダル）
UU（水平）(垂直）
EE, EI, I, EC, ETD, EER. EＦF, EVD, EP, PQ, PM, POT, ROD, PLANAR

初透磁率)
最大10,000 μiacまで

詳しくは、お問合せもしくは、カタログをご覧下さい。 （詳細を見る）

コスモフェライト社は1986年に創業され、インドソフトフェライト市場における主要なソフトフェライトメーカーとしての地位を確立しました。2004年にISO14001、2008年にISO9001を取得しております。

【特長】
■用途によってカスタマイズ可能
■2004年にISO14001、2008年にISO9001を取得
■ノイズ対策可能
■高品質・低価格を実現！

※詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。 （詳細を見る）

中性子放射化分析のメリット

１）少量の試料(数ｍｇ～数ｇ程度)で分析が可能。
２）分析可能な濃度の範囲が広いppmまたはppb(標準でppm)のレベルから数十パーセントの範囲まで分析可能。
３）高精度(不確かさ: 標準4～5%)
４）分析元素の物理的形状や化学的状態に左右されない 同一のマトリックス組成の標準化が不要。

分析可能元素
A)　分析に長時間の照射が必要な元素： Ag, As, Au, Ba, Br, Ca, Ce, Cd, Co, Cr, Cs, Er, Eu, Fe, Ga, Ge, Gd, Hf, Hg, Ho, Ir, K, La, Lu, Mo, Nb, Nd, Os, Pd, Pr, Pt, Rb, Re, Ru, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Tm, U, W, Yb, Zn, Zr
B)　短時間の照射で分析可能な元素： Al, Ca, Cl, Cu, Dy, I, In, Mg, Mn, Na, Rh, Ti, V
C)　DNAA法（短時間照射）： U

◎詳しくはPDF資料をご覧下さい。 （詳細を見る）

中性子放射化分析のメリット

１）少量の試料(数ｍｇ～数ｇ程度)で分析が可能。
２）分析可能な濃度の範囲が広いppmまたはppb(標準でppm)のレベルから数十パーセントの範囲まで分析可能。
３）高精度(不確かさ: 標準4～5%)
４）分析元素の物理的形状や化学的状態に左右されない 同一のマトリックス組成の標準化が不要。

分析可能元素
A)　分析に長時間の照射が必要な元素： Ag, As, Au, Ba, Br, Ca, Ce, Cd, Co, Cr, Cs, Er, Eu, Fe, Ga, Ge, Gd, Hf, Hg, Ho, Ir, K, La, Lu, Mo, Nb, Nd, Os, Pd, Pr, Pt, Rb, Re, Ru, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Tm, U, W, Yb, Zn, Zr
B)　短時間の照射で分析可能な元素： Al, Ca, Cl, Cu, Dy, I, In, Mg, Mn, Na, Rh, Ti, V
C)　DNAA法（短時間照射）： U

◎詳しくはPDF資料をご覧下さい。 （詳細を見る）

中性子放射化分析のメリット

１）少量の試料(数ｍｇ～数ｇ程度)で分析が可能。
２）分析可能な濃度の範囲が広いppmまたはppb(標準でppm)のレベルから数十パーセントの範囲まで分析可能。
３）高精度(不確かさ: 標準4～5%)
４）分析元素の物理的形状や化学的状態に左右されない 同一のマトリックス組成の標準化が不要。

分析可能元素
A)　分析に長時間の照射が必要な元素： Ag, As, Au, Ba, Br, Ca, Ce, Cd, Co, Cr, Cs, Er, Eu, Fe, Ga, Ge, Gd, Hf, Hg, Ho, Ir, K, La, Lu, Mo, Nb, Nd, Os, Pd, Pr, Pt, Rb, Re, Ru, Sb, Sc, Se, Sm, Sn, Sr, Ta, Tb, Te, Th, Tm, U, W, Yb, Zn, Zr
B)　短時間の照射で分析可能な元素： Al, Ca, Cl, Cu, Dy, I, In, Mg, Mn, Na, Rh, Ti, V
C)　DNAA法（短時間照射）： U

◎詳しくはPDF資料をご覧下さい。 （詳細を見る）

株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウェーハへの成膜が可能です。

酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD

窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD

金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、Al-Si、Al-Si-Cu、Ni、W、W-Si-Cu
その他 Poly-Si、a-Si、SiC、Low-k(SiOC系、有機化学系）、グラフェン膜、グラファイト

＊SiO2,SiN,SiONなど膜種により1枚からでも対応が可能です。

＊Suputter成膜にてTi,Cu,Cr,Niなど対応可能です。

＊レジスト塗布/露光/エッチングは4インチ～12インチまで対応可能です。

＊テストパターン付ウェーハ（6インチから12インチ）も仕様により一貫で対応致します。

＊レチクルご支給による、露光/エッチングも承ります。（8インチと12インチ）
詳しくはお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）