これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します
当社は半導体製造装置メーカーとして、GaN系発光デバイス製造における
ICPエッチング装置、CVD装置及びプロセス技術を提供してきた実績があります。
また、4H-SiCパワーデバイスに対してもトレンチ加工、メサ加工等に対応で
きる装置を提供。
当資料では、これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工を
ご紹介しています。
【掲載内容】
■はじめに
■トレンチMOSFETの模式図
■GaNのトレンチ加工
■エッチング結果
■最後に
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報【資料】パワーデバイス用GaNのトレンチ加工
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取扱企業【資料】パワーデバイス用GaNのトレンチ加工
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