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汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコン…
r<111>(直径による) ○伝導型(ドーパント):P(Boron) or N(Phosphorus) ○抵抗率公差:抵抗率により異なります ○面内抵抗率分布:抵抗率により異なります ○キャリアライフタイム:抵抗率により異なります ○酸素・炭素濃度 :<2.0 × 10(16)atoms/cm3 程度 25枚もしくは在庫状況により小ロットから対応可能です。 ●詳しくはお...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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FZウェーハ FZシリコン製品 パワーデバイス用NTDシリコン
半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます
r<111> ○伝導型(ドーパント):N(Phosphorus) ○抵抗率:30-500,600 オーム 程度 ○抵抗率公差:+/-10% 程度 ○面内抵抗率分布:< 3-8% 程度 ○キャリアライフタイム:> 200µsec ○酸素濃度:< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ○炭素濃度:< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ●詳しくはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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