【書籍】造粒プロセスの最適化と設計・操作事例集（No.2227）

PR【試読できます】★ 各種造粒のメカニズム、プロセス、操作パラメータ設定…

★ シミュレーション、AIを駆使した造粒プロセス最適化、連続生産システムの構築！ －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ■　本書のポイント ●　造粒のスケールアップに必要な操作パラメータの適切な設定 ●　造粒装置・操作におけるトラブルと対策 ●　造粒物の粒度分布・粒子径・流動性・付着性の評価 ●　造粒のリアルタイムモニタリング、固形製剤連続生産システムの構築 ......

メーカー・取り扱い企業： 株式会社技術情報協会

インライン成分分析セミナー無料ご招待【6/19・20開催】

PRなぜ、インライン分析がいま重要なのか？人手不足や労働時間規制に対応する…

無料オンラインセミナーのご招待です。 フォスのインライン成分分析装置について深掘りし、 製造プロセスの最適化と生産性の向上にどのように寄与するかをご紹介。 技術トレンドや、各業界でお使い頂けるアプリケーションを中心とした活用事例や応用例も紹介し、 人手不足や労働時間規制に対応するための製造プロセス改善のヒントを得られます。 乳業や食肉、飼料、穀物分野などの担当者の方に特におススメのセ...

メーカー・取り扱い企業： フォス･ジャパン株式会社

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

が知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です

次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに、測定例としてCu表面を観察した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料】WTIブログ　2022年4月

「半導体パッケージの外形寸法規格について」や「電流が渦潮になるってほん…

立ち情報を多数掲載しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■2022.4.5 「半導体パッケージの外形寸法規格について」 ■2022.4.12 基板メーカーからの問い合わせ事例（続編） 　～基板設計は基板メーカーの製造工程にあった調整も必要です～ ■2022.4.19 自社が注力すべき仕事以外は代行サービスを活用する時代 ■2022.4.26 電流が渦潮になるってほ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

【資料】しるとくレポNo.6＃デイジーチェーンサンプル

これまでの設計・評価で得た経験や知見を基にお客様のいろいろなご相談に対…

デイジーチェーンサンプルについてご紹介させていただきます。 【掲載内容】 ■破断個所を特定するデイジーチェーンサンプル ■破断個所を特定するデイジーチェーンサンプル ・お客様からの相談事例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology