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様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能!マイウロウェーブ反射による非…
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非破壊/非接触!nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ(15nm~サブミクロン)と密度(E6~E10/cm3)の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーションを カバーすることで、表面近傍では確認ができない深さ方向の...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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表面電荷分析装置
表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、CVD膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...ウェハー表面電荷量及び界面準位密度の測定 ■酸化膜工程 ・ウェハー汚染やプラズマ損傷による酸化膜中 電荷量の変化 ・熱ストレス等による界面準位密度の変化 ・窒化酸化膜中の固定電...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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