• 【分析事例】有機EL素子積層膜の膜密度・膜厚測定 製品画像

    【分析事例】有機EL素子積層膜の膜密度・膜厚測定

    X線反射率測定(XRR)で膜厚・密度の分析が非破壊で可能です

    が進みつつあります。有機ELデバイスは有機膜を積層させて作製しますが、有機膜積層状態での有機膜分析を行うことは困難でした。今回、XRR法を用いることによって、積層状態のまま、有機膜の膜厚測定および密度測定を行うことが可能となりました。 結晶質、非晶質を問わず、積層膜の膜厚および密度の分析が可能です。...

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  • 【分析事例】IGZO 薄膜の結晶性・膜密度評価 製品画像

    【分析事例】IGZO 薄膜の結晶性・膜密度評価

    酸化物半導体のXRD・XRR分析事例

    透明酸化物半導体であるIGZO薄膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいます。 IGZOは膜の組成・酸素欠損の有無・結晶性で大きく特性が変化する材料でもあり、膜質との相関を考慮することが重要です。加熱温度の異なる3種類のIGZO薄膜の結晶性・膜厚・膜密度をXRD・XRRにて測定し、比較を行った事例をご紹介します。高温では結晶化が進み、膜密度が高くなっている様子を非破壊で確認することが...

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  • [XRR]X線反射率法 製品画像

    [XRR]X線反射率法

    XRR:X-ray Reflectivity

    XRRは、X線を試料表面に極浅い角度で入射させ、その反射強度を測定します。この測定で得られた反射X線強度プロファイルをシミュレーション結果と比較し、シミュレーションパラメータを最適化することによって、試料の膜厚・密度を決定する手法です。 ・膜厚の評価が可能 (2~300nm 程度) ・密度の評価が可能 ・表面粗さの評価が可能(Rms = 5nm 以下) ・非破壊で分析が可能 ...

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    TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察

    低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます

    密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密度差・平均質量差・組成差が小さい有機EL膜・Low-k膜・ゲート酸化膜・TEOS膜・BPSG膜などに適用できます。 1) TEM専用機に比べて加速電圧が低いSEM装置に...

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  • [RBS]ラザフォード後方散乱分析法 製品画像

    [RBS]ラザフォード後方散乱分析法

    固体試料にイオンビームを照射し、ラザフォード散乱によって後方に散乱され…

    RBSは固体試料にイオンビーム(H+,He++)を照射し、ラザフォード散乱によって後方に散乱されてくるイオンのエネルギーおよび強度を測定する手法です。 散乱されたHeイオンの運動エネルギーを測定し、衝突した原子の質量数を調べることで分析サンプルの成分や層構造を評価することができます。 また、固体試料にHeイオンを入射して前方に散乱されたHイオンを測定することで、サンプル中の水素濃度を評価す...

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  • PV(太陽電池)各種評価事例集 製品画像

    PV(太陽電池)各種評価事例集

    太陽電池(PV)の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…

    PV EXPO2013(国際太陽電池展)展示会にご来場いただけなかった方、MSTブースにお立ち寄りいただけなかった方、もう一度MSTの展示会資料をご覧になりたい方、ぜひご覧ください。 太陽電池の研究・開発・製造に必要な部品・材料、装置、セル・モジュールが一堂に出展する展示会『PV EXPO 2013』で使用したパネル資料全6枚のご紹介です。 [掲載内容] 有機薄膜太陽電池の活性層の...

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  • 【分析事例】極浅ドーパント分布の高精度分析 製品画像

    【分析事例】極浅ドーパント分布の高精度分析

    高い再現精度で評価可能

    デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価が必要とされています。正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。今回、B+を低エネルギーでイオン注入したSiウエハを1keVの酸素イオンビームを用いて、日をまたいで、6回測定した結果から算出したBの面密度の相対標準偏差は3%以下であり、極浅い不純物分布評...

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  • [SXES]軟X線発光分光法 製品画像

    [SXES]軟X線発光分光法

    SXESは、物質から発光される軟X線を用いて化学結合状態を評価する手法…

    ・試料中の特定元素(特にB,C,N,O等の軽元素)に着目した化学結合状態の評価が可能 ・スペクトル形状は価電子帯における着目元素の部分状態密度を反映 ・X線吸収スペクトル(XAS)との同時測定によってバンド構造の評価も可能 ・バルクの情報が得られるため、表面近傍数nmの影響を受けにくい ・絶縁物に対しても帯電の影響を受けずに評価が可能 ・検出下限が低く(<1atomic%)、微量成分であ...

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  • 【分析事例】高分子材料の結晶化度評価 製品画像

    【分析事例】高分子材料の結晶化度評価

    昇温しながらの結晶化度の変化が評価可能

    プラスチックは高分子鎖が規則正しく配列した結晶性部分と、高分子鎖がランダムに存在する非晶性部分が混在しています。結晶性プラスチックの機械強度・密度・熱的性質などは結晶化度に大きく影響を受けるため、結晶化度を知ることは重要になります。 今回、結晶性プラスチックであるポリプロピレン製フィルムについて、昇温しながらXRD測定を行うことで、結晶化度の変化を調査しました。...詳しいデータはカタログをご覧...

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  • 【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価 製品画像

    【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価

    価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

    放射光を用いた軟X線発光分光(SXES)は材料を構成する各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度(pDOS)を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、1.バルクの情報が得られる 2.絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能 3.検出下限が低い(<1atomic%)などが挙げられ、特に軽元素(B,C,N,O等)を含んだ材料の評...

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