技術資料『JIS規格「分銅」と製造工程の紹介』

PRJIS分銅の製造から市場供給までの流れをご紹介。JIS規格の概要も解説

当社は、質量計測を主軸とし、天びん・分銅の製造や校正サービスを手掛けています。 100年以上にわたって蓄積したノウハウを元に、高度な技術が求められる 機械式はかりの組立や、1μgレベルの高精度な質量調整・校正が可能です。 本資料では、分銅の信頼性を担保する「JISマーク付き分銅」について紹介。 精度等級や特性評価基準などのほか、製造・検査工程などを紹介しています。 【掲載内容(一...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社村上衡器製作所

Luminex xMAP INTELLIFLEX System

PR【キャンペーン実施中】迅速でコストパフォーマンスに優れたイムノアッセイ…

Luminex xMAP INTELLIFLEX Systemは、コンパクトで広いダイナミックレンジを実現します。タッチスクリーンのユーザーインターフェースを備え、スタートアップ、シャットダウン、メンテナンスが自動化されているため使いやすく、メンテナンスも簡単。この他、2つのパラメーターで測定可能なDR-SEモデルをはじめ、Luminex 200 Instrument System、Luminex...

メーカー・取り扱い企業： サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K.

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。 シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度1016個/cm3以上に感度があります。 ・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能 ・半導体のドーパント濃度分布計測に有効 ・半導体の極性（p型/n型）の判定は不可 ・定量評価は不可...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Li二次電池負極の充放電サイクル試験後の劣化評価

電池セルの作製から充放電サイクル試験から解体、劣化成分量の調査まで

二次電池の劣化のメカニズムを調べる際に、電極表面の付着物を解析することが重要となっています。MSTではサンプルを雰囲気制御下でTOF-SIMS測定を行いますので、電極最表面の化学状態を大気暴露による変質無く評価することが可能です。 また、充放電サイクル試験から電極表面の測定まで一貫して行うことで、充放電の状態と電極表面の付着物の状態の相関を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［TEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（TEM）

EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギ…

またはTEMに付属しており、本資料ではTEMに付属のEDXについて紹介します。 ・全元素範囲（B～U）の同時分析が可能（付属装置によりBeの検出も可） ・0.1nmφ～の細い電子線プローブで測定が可能 ・ドリフト補正機能を用いることで、面分析でサブnmの積層膜を分布像として識別可能 ・面分析では任意箇所のスペクトルの抽出や線分析の表示が可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［AFM］原子間力顕微鏡法

ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測

AFMは、微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 ・金属・半導体・酸化物など、絶縁体から軟質の有機物まで幅広い試料を測定可能 ・接触圧力が弱いタッピングモードを用いることで、試料ダメージを最小限に抑えることが可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EMS分析（エミッション顕微鏡法）

故障箇所を迅速に特定

EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。 ・測定波長領域（可視域から近赤外域）に対して透明な材料のみ評価可能 ・クラック・結晶欠陥・ESDによる酸化膜破壊・Alスパイクによるショートなどの内部の欠陥を低損傷で捉えることが可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

カールフィッシャー滴定法

カールフィッシャー滴定法は化学反応を利用して試料中の水分を定量する手法…

カールフィッシャー滴定法には、“電量滴定法”と“容量滴定法”の二つの滴定方法があり、ここでは電量滴定法を紹介します。電量滴定法は、微量な水分を測定するのに有効な手法です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】化学修飾XPSによる水酸基の定量

高分子フィルムの水酸基評価

学修飾法を用いてアルコール基のみを選択的に反応させた後に、XPSにて定量することが可能です。PVA中のアルコール基を無水トリフルオロ酢酸（TFAA）によって化学修飾して評価した事例を紹介します。 測定法：XPS・化学修飾 製品分野：電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・化学結合状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】オリーブオイルの3D蛍光スペクトルと多変量解析

発光特性の解析から試料の比較が可能です。

3D蛍光スペクトルの解析に多変量解析を使用することで、データの次元を圧縮・削減し特徴を可視化して捉えることが可能です。本資料ではその一例として、オリーブオイルについて分析を行った例を紹介します。 測定法：蛍光光度計、計算科学・AI・データ解析 製品分野：バイオテクノロジ、医薬品、化粧品、日用品、食品、環境 分析目的：製品調査、安全性評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせく...

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【分析事例】消毒前後における不織布マスクの表面形状観察

アルコール消毒前後でマスク表面の形状を比較

す。本資料では、アルコール消毒前後のマスク表面の繊維をSEMで観察した結果を紹介します。アルコール消毒後では、繊維の形状が変化し、また消毒前の特徴的な凸形状が少なくなっていることがわかりました。 測定法： SEM 製品分野：日用品、ウイルス対策関連品 分析目的：形状評価、構造評価、劣化調査・信頼性評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】フッ素系膜の分布状態評価および成分分析

微小領域の面分析による分布の均一性評価と有機物の同定・推定

、フッ素系化合物の分布の観察を行いました。その結果、不均一に分布していることがわかりました。また、1μm角の領域で定性分析を行うこと で、フッ素系膜はKrytoxであることがわかりました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・組成分布評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】極浅ドーパント分布の高精度分析

高い再現精度で評価可能

よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。今回、B+を低エネルギーでイオン注入したSiウエハを1keVの酸素イオンビームを用いて、日をまたいで、6回測定した結果から算出したBの面密度の相対標準偏差は3%以下であり、極浅い不純物分布評価においても通常のSIMS分析と同様に高い再現精度が得られることが示されました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量

赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量

シリコン単結晶中の格子間酸素及び炭素原子濃度をFT-IR分析により非破壊で求めることが可能です。透過法により測定したスペクトルの格子間酸素または炭素による吸収のピーク高さから算出します。 算出方法は、電子情報技術産業協会（JEITA: Japan Electronics and Information Te...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

酸化物ReRAMでは、電場印加に伴う酸素拡散がメモリ動作（抵抗変化）と関連しているとされていました。 SIMS分析では同位体を測定可能であるため、同位体18Oイオン注入技術を利用すれば、酸素拡散の追跡が可能となります。18Oを局所的に注入した素子に対し、電場印加により動作領域となるブリッジ構造を形成し、元素マッピングを行った結...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】部品表面のシミ・水はじきの原因調査

切断できない大きな部品でも表面汚染を適切にサンプリングして測定

Al材表面に水はじきのよいシミがあることがわかりました。そのシミ部をテープに付着（転写）させ、TOFSIMSで分析を行いました。 「シミ部を転写させたテープ表面」からは、「Al材表面のシミ部」と同じフラグメントが検出されており、シミの原因物質がテープに転写されているものと考えられます。このように、原因物質をテープに転写させて採取するこの方法は、切断ができない部品に有効です。...詳しいデータはカ...

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