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水銀プローブにより電極の形成が不要!R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…
(VFB) ■界面準位測定(Dit) ■エピ層の抵抗率測定(ρ) ■低ドースイオン注入の部分的ドース量の評価(PID) ■ライフタイム測定(τg) ■高/低誘電材料の誘電率測定(ε) ■絶縁膜の信頼性試験(TZDB、TDDB) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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トレンチ深さ測定装置
ーリエ変換し反射率スペクトルを得る。この反射率スペクトルは既存のFTIR解析技術に加え、各種測定アプリケーション(膜材とその構造)に対応可能なデータベース化された解析モデルを使用して、測定対象(主に絶縁膜)の膜厚、トレンチ深さ、空孔率、ドープ濃度、TSV形状、リセス測定などを数秒で同時測定することができる。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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