• 非接触CV測定装置 Cn0CV 製品画像

    非接触CV測定装置 Cn0CV

    非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

    世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。...【特徴】 ■非接触CV/IVインライン測定 ■超高感度汚染管理(E8レベル鉄濃度測定) ■パタ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • FastGateインライン向けCV・IV測定装置ECV-2500 製品画像

    FastGateインライン向けCV・IV測定装置ECV-2500

    FastGate インライン向けCV・IV測定装置

    USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚(CET/EOT) ・フラットバンド電圧(VFB) ・界面準位等...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • トレンチ深さ測定装置 IR2100  製品画像

    トレンチ深さ測定装置 IR2100

    トレンチ深さ測定装置

    パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR(Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から(...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

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