透過型電子顕微鏡

透過型電子顕微鏡(TEM)でサンプルの微細構造がナノレベルで観察が可能…

弊社では、高精度なTEM観察用薄片サンプル作製と高度なTEM観察技術から鮮明なサブナノオーダーの構造観察が可能です。...TEM観察 ・ナノオーダーの構造把握や格子像の観察を行います。 ・TEM画像を使用した解析・評価、EDXによる局所的元素分析を行っております。 TEM画像を用いた解析、評価 ・高分解能TEM像による結晶欠陥の解析や歪みマッピング評価を行います。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,SEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

。電子デバイス・医薬品・食品の製品開発・品質管理など幅広い分野を対象に分析サービスを提供します。 非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観察・質量分析等の破壊を伴う分析手法を主として受託サービスを展開しておりましたが、電子デバイスを破壊せず観察したいという顧客ニーズが近年増加しておりました。また、電子デバイス以外の分野においても、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice＆Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice＆Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことによ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を組み合わせることで、温度変化に伴う誘電体材料の絶縁劣化を可視化した事例を紹介します。 測定法：SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) 製品分野：誘電体材料、コンデンサ、MLCC 分析目的：抵抗値分布、電流分布、絶縁劣化評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやN...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST