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    無菌室向け 二酸化塩素ガス除染装置『Weraser ZERO』

    PR高精度計測器を搭載し、低濃度0.05ppm~高濃度1200ppm まで…

    当社トラステック愛知が得意とするのは二酸化塩素の高精度の濃度計測と制御管理。 その技術を用いて開発したのが、二酸化塩素ガス除染装置『Weraser ZERO』です。 除染効果の高い二酸化塩素ガスを用いた除染装置で、 精度に優れたガスの濃度測定と、ガスの制御機能を有しています。 搭載された高精度計測器により、低濃度0.05~高濃度1200ppm(校正値1000ppm 検知管使用 当社...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トラステック愛知 本社

  • ガンマ線滅菌済PESメンブレンカプセルカートリッジフィルター 製品画像

    ガンマ線滅菌済PESメンブレンカプセルカートリッジフィルター

    PR滅菌の手間がかからない! 製薬、診断薬、培地、組織培養液、酵素等の濾過…

    ・ポリエーテルサルホン(PESU)製メンブレンフィルターとポリプロピレンから構成された、クリーン性に優れたカプセルフィルターです。 ・ガンマ線滅菌済みのため、お客様のもとで滅菌作業をせずすぐに使用可能です。 ・液系でのBrevundimonasdiminutaを使用したバクテリアチャレンジ試験により、 除菌性能をバリデーション済みです。 ・全数完全性試験実施済み、トレーサビリティも確保した高い信頼...

    メーカー・取り扱い企業: アドバンテック東洋株式会社

  • 【分析事例】Si表面のH終端の解析 製品画像

    【分析事例】Si表面のH終端の解析

    処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較

    Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF,SiH,Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査 製品画像

    【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査

    イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

    NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B,Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。 また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが、イメージングSIMS測定においては、部分的にデプスプロファイルを抽出することができるため、面内に局在するドー...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】極浅注入プロファイルの評価 製品画像

    【分析事例】極浅注入プロファイルの評価

    極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

    デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV, P+ 1keV, As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV~300eVを用いて測定した例を示します。...詳しいデータ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】MEMS中ドーパントの三次元分布評価 製品画像

    【分析事例】MEMS中ドーパントの三次元分布評価

    イメージングSIMSにより微小領域・微量元素の濃度分布を可視化できます

    市販品MEMSについて、BとAsの三次元イメージングSIMS測定を行いました(測定領域:75μm角、深さ:約1.5μm)。測定後のデータ処理により、任意断面・任意深さの面分布、任意領域の深さ方向分布、任意箇所のラインプロファイルの抽出が可能です。 注) イオンビームで試料を掘りながら、深さ方向にイメージを取り込みますので、破壊分析となります。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1 製品画像

    【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

    SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

    SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度(ppm以下)で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素(H,C,O,Fなど)の分布についても評価可能です。評価し...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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