【分析事例】GCIBを用いた有機材料劣化成分の深さ方向分析

雰囲気制御下でのGCIBを用いた有機EL層構造および劣化層の成分評価

大気暴露することで劣化が生じる有機材料について、GCIB（Arクラスター）を用いて劣化成分を深さ方向に分析した事例を紹介します。実験には有機EL原料のルブレンを用いました。大気暴露したサンプルをTOF-SIMSで測定をした結果、ルブレンペルオキシドと推...

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【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

あるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中...

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【分析事例】C60,GCIBを用いたアルカリ金属の深さ濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にC60（フラーレン）とGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動が抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・...

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【分析事例】ポリカーボネートの劣化層の評価

GCIB（Arクラスター）を用いることで劣化層の膜厚を評価することが可…

プラスチックの一種であり、優れた透明性・耐衝撃性・耐熱性などの特長をもち、太陽電池パネル・メガネレンズ･CD・車載部品・医療機器の材料として、幅広く活用されております。今回、スパッタイオンビームにGCIB（Arクラスター）を用いてTOF-SIMS分析を行い、PC表面の劣化層の評価を行いました。 ※GCIB：Gas Cluster Ion Beam...

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【分析事例】高分子フィルム中の添加物成分分析

フィルム中の添加剤の表面およびGCIBを用いた深さ方向の分布評価

く安定に存在することが求められます。本事例では添加剤の一つであるIrgafos168の存在状態が加熱前後で変化（ブリードアウト）するかについてTOF-SIMSを用いて調査した結果をご紹介します。※GCIB：Gas Cluster Ion Beam...

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【分析事例】高分子フィルムの多層構造の解析

GCIBを用いた低ダメージスパッタリングで多層フィルムの層構造を明瞭に…

れています。 今回は食品用ラップフィルムとして一般的に用いられるポリエチレン系多層フィルムの層構造を評価しました。 FT-IRで主にポリエチレンで構成されていることを確認したフィルムに対し、GCIB（Arクラスター）をスパッタに用い、TOF-SIMSで深さ方向に測定することで、10μmの厚みの中でポリエチレンとナイロン6とが積層されている構造を明瞭に可視化することができました。...

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【分析事例】高分子表面のイオン照射による損傷層の評価

GCIB（Arクラスター）を用いることで損傷層の成分・厚さ評価が可能

性材料の開発など広い分野で研究が行われています。イオン照射後、表面状態にどのような変化が生じたのか評価することは、効率的な研究・開発に重要です。 TOF-SIMS分析では、スパッタイオンビームにGCIB（Gas Cluster Ion Beam）を用いることで、高分子材料表面のイオン照射による損傷層（ダメージ層）の成分・厚さを評価することが可能です。...

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【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析

TOF-SIMSによる高分子・樹脂・フィルムの表面改質層の深さ方向の評…

他の材料との密着性を高めることができることから、改質層の状態を把握することが重要です。今回、有機成分が壊れにくいスパッタ条件にてTOF-SIMS測定を行い、深さ方向にポリイミド成分を評価しました。GCIB（Arクラスター）をスパッタに用いると着目する有機成分を深さ方向に測定することが可能です。※GCIB：Gas Cluster Ion Beam...

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