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【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布
SiO2膜の不純物の評価
あるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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