- 製品・サービス
4件 - メーカー・取り扱い企業
企業
16件 - カタログ
85件
-
-
-
高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】
SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…
SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム、ガリウムナイトライド)等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII(Plas...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
-
-
-
-
半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…
SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII(Plasma Based Ion Implantation) カーボン成膜が可能 ・スパッタ 電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA(Rapid thermal annealing) 縦型高周波誘導加熱方式により、~1800度...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
-
-
-
-
Film Deposition&Heat Treatment
Equipped with various film depositi…
PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing....Film formation ・ PBII (Plasma Based Ion Implantation) Carbon deposition ・ Sputter Possible to form elect...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
-
-
-
-
SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…
SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
-
- 表示件数
- 45件
- < 前へ
- 1
- 次へ >
※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。