サンプル保存用チューブ『二次元コード付きチューブ』

PRサンプル管理業務のデジタル化！業務効率化とトレーサビリティ構築に便利な…

二次元コード付きチューブは、チューブ底面に二次元コード（2Dコード）をもつサンプル保存用チューブです。 当社のThermo Scientific Matrix 2Dチューブは、摩擦や衝撃によるコード脱落や破損に強い2Dコードを持ちます。全てのコードに対して可読性と重複がないことを確認しています。気密性に優れたガスケットと一体成形のスクリューキャップにより、サンプルの輸送や超低温下での長期保管から...

メーカー・取り扱い企業： サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K.

受託加工『CVD-SiCコーティング』

高硬度、耐熱、半導体特性、化学蒸着法炭化ケイ素 CVD-SiC

『CVD-SiCコーティング』は、高硬度、耐熱性、耐磨耗性に優れた 半導体特性を持つ薄膜です。 当社独自のCVD法により半導体装置部品等にも適応可能なグレードを保ち、 高純度のSiC膜を最大2mm以上析出してバルクのSiCを作成しております。 【特長】 ■高硬度 ■優れた耐熱性 ■優れた耐磨耗性 ■半導体特性を有する ■半導体装置部品等にも適応可能 ※詳しくはカタロ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社インターフェイス

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice＆Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice＆Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法：Slice＆View・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plas...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定

ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します

変電所などで使用可能な超高耐圧・低損失SiCパワーデバイスの開発においては低キャリア濃度の制御が必要となり、SIMS分析で極低濃度の不純物評価を行うことが有効です。 SIMS分析では多元素を同時に取得せず、不純物を1元素に限定することで極低濃度を評価することが可能です。本資料ではSiC中の不純物について従来では評価が困難であった極低濃度領域を超高感度に評価した分析事例をご紹介します。...詳しい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

SiCパワーMOS FET（図１）において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました（図２）。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

PL（フォトルミネッセンス）マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線光電子分光法）で評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

SiC中積層欠陥の検出事例

SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス（PL）法があります。 マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧くださ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価

詳細な状態評価と併せ、膜厚計算が可能

XPSでは試料表面の化学結合状態を評価することができ、波形解析により更に詳細な評価をすることが可能です。加えて、波形解析結果に仮定パラメータを用いることで、表面酸化膜等の膜厚を算出することも可能です。 本資料では、SiC表面の組成・状態評価を行うとともに、取得したピーク強度から酸化膜厚を算出した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCN...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 最先端の二次イオン質量分析（SIMS）装置であるNanoSIMS 50Lは、プローブ径約50 nmのイオンビームと、透過率の高い質量分析系の併用により、従来のSIMSに比べて約2桁高い空間分解能でイメージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析装置の概要 ３．毛髪断面の分析事例 ４．...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査 型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【加工素材】化合物半導体ウェーハ

SiC・GaN・GaPなど！さまざまな化合物半導体結晶の研磨加工が可能

日本エクシードでは、SiC、GaN、GaPなど、様々な化合物半導体結晶の 研磨加工を行っております。 パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げることが 可能となり、お客様への納品方法を含め対応できます。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【特長】 ■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能 ■お客様への納品方法を含め対応できる ■厚み：...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

ファインセラミックス

SiC、BN等の素材の焼成から成形までを一貫して行っております。

株式会社新陽の主要製品である『ファインセラミックス』のご紹介です。 アルミナ（Al203）、ジルコニア（Zr02）、AIN、SiC、BN等の素材の 焼成から成形までを一貫して行っております。 【対応素材】 ■アルミナ ■ジルコニア ■AIN ■SiC ■BN等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新陽

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【加工実績】単結晶 研磨加工技術

当社の全ての技術の基礎となり、ナノオーダーの仕上げを実現！多種多様な材…

当社の『単結晶 研磨加工技術』の実績をご紹介いたします。 創業当時から積み上げてきた結晶研磨加工技術。当社の全ての技術の 基礎となり、ナノオーダーの仕上げに対応可能。 潮解性のある材質から、酸化物・金属単結晶にもご対応いたします。 【単結晶研磨加工の工程】 ■原石の方位出し（原石から結晶方位を確認） ■結晶方位の軸だし（ご指定の軸を確認し、面出し作業） ■形成加工（バリ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クリスタル光学

技術情報誌 201901-01 Ga2O3膜の分析評価技術

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．試料 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【加工実績】セラミック加工技術

微細、プレート、円筒、長尺物、球面など！セラミック加工は当社へお任せく…

『セラミック』の加工技術実績をご紹介いたします。 当社では、微細、プレート、円筒、長尺物、球面など様々なセラミック 加工に携わってきました。 面粗さ・形状精度・サイズなどのご要望に応え、試作加工から量産加工 までご対応いたします。ご用命の際はお気軽にご相談ください。 【加工実績】 ■面粗度：試料研究用途に必要とされる鏡面研磨 　　　　SiC：Ra 0.3nm / YAG：...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クリスタル光学

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

各種ワークの受託開発・加工サービス

お客様の目的に合わせた形状・面精度到達に向けた、受託開発・加工をご提案…

ナガセ研磨機材では、各種ワークの表面からエッジまで、 お客様の目的に合わせた形状・面精度到達に向けた受託開発・加工を承ります。 【特長】 ■小ロット試作～量産対応、消耗品・研磨装置・プロセス・技術提供等、 　お客様のニーズに合わせて対応 ■専門のプロセス技術開発担当により、開発からの対応可能 ■評価設備も充実、加工前後の品質確認や評価も対応 ■チタンやSiC等難削材の鏡面加工も対...

メーカー・取り扱い企業： ナガセ研磨機材株式会社 本社

コーティング技術のワンストップサービス

豊富な改善事例をもとに、問題解決に向けた表面処理メニューを用途に応じて…

表面処理でのお困りごと。あきらめてそのままになっていませんか？ 当社は“表面処理”に関する豊富な知見とネットワークを駆使し、 数あるコーティング技術の中から、用途に応じて最適なメニューを提案。 数多くの改善事例をもとに、表面処理におけるお困りごとを解決へと導きます。 【各種用途例】 ◎モーターコア、電磁鋼板、スチール材などの冷間プレス用途 　特殊PVD被膜（積層TiAlN、Al...

メーカー・取り扱い企業： 千代田交易株式会社

ご希望者全員プレゼント！表面分析の基礎と受託分析事例

〈XPS・TOF-SIMS〉 表面分析とは何か・表面分析の種類等、基…

表面分析のご検討に役立つ基礎解説・分析事例をまとめてご紹介します。 お手元に置いて、分析サービスのご検討にぜひご活用ください。 ★ご希望の皆様全員に無料でプレゼント★ 【お問い合わせ】より、「カタログ送付希望」にチェックを入れてお申し込みください。 ※【PDFダウンロード】よりダイジェスト版をご覧頂けます。 ...★掲載内容★ 　■表面分析の基礎 　　　・表面分析とは？ 　...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【半導体事業】ダイシング工程

チッピング規格の厳しい製品にはデュアルダイサーによるステップカットも可…

半導体事業の『ダイシング工程』についてご紹介します。 超純水を使用して実施。チッピング規格の厳しい製品には デュアルダイサーによるステップカットも可能です。 ご要望に対応致しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■設備 ・Full Autoダイサー：13台 ・Semi Autoダイサー：5台 ■ウェハサイズ：2～8inch ■ウェハ厚さ：90～725μm...

メーカー・取り扱い企業： 藤田グループ

【半導体事業】ピックアップ

チップ・テープ分離装置を使用したマニュアルによる対応も致します！

半導体事業の『ピックアップ』についてご紹介します。 自動機で実施。インクマーク認識、マップ認識の何れも対応でき、 トレイは2～4インチ、チップサイズは0.5～約4mm位に対応可能。 マルチウェハ等の特殊な製品あるいは大きいサイズには チップ・テープ分離装置を使用したマニュアルによる対応も致します。 【特長】 ■インクマーク認識、マップ認識(ASCII文字形式)の何れも対応可...

メーカー・取り扱い企業： 藤田グループ

【精密研磨/鏡面】技術　超精密鏡面加工

鏡面加工、平面度、平行度、寸法、球面、曲面、角度など、ほとんどの加工要…

鏡面の面粗さのみならず高精度な平面度・平行度・寸法精度も同時に実現いたします。 1点ものから量産まで随時対応しております。 あらゆる材質・あらゆる形状に超精密な面精度を実現することが可能です。 【対応材質】 ○金属 →鋼材全般・超硬・ステンレス・銅・チタン・アルミ・モリブデン・タングステン・ 　ニッケル・タンタルなど、その他各種 ○セラミックス →アルミナ・ジルコニア・サファイ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ティ・ディ・シー

評価ボード『EVAL-PSIR2085』

対応するEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードとの併用でプ…

『EVAL-PSIR2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER絶縁型ゲート ドライバ評価ボードに電源を供給するために開発された標準の電源ボードです。 MOSFET、IGBT、SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている様々な 評価ボードに対応。 産業用モータドライブをはじめ、業務用空調機器やEV充電、蓄電システム等の アプリケーションにお...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

プリプレグ（PPG）の受託製造サービス

繊維はピッチ系CFやCF織物など！当社のプリプレグの受託製造サービスを…

当社では、プリプレグ（Prepreg）の受託製造サービスを行っております。 強化材（繊維）と母材（熱硬化性樹脂）は、お客様支給または当社所有品を選択可能。 標準生産量50m2～、少量でもご相談ください。 ・CFRP、GFRPなどの成形品製造用に。 ・耐熱、低温硬化、高速硬化、など特長ある熱硬化性樹脂をラインナップしています。 ・製造仕様（詳細はお問い合わせください） 幅：～...

メーカー・取り扱い企業： ＥＮＥＯＳテクノマテリアル株式会社

銅合金・アルミ合金・アルミ特殊複合材の砂型鋳造

鋳造の難しい特殊素材の鋳造にもチャレンジ！特殊な分野の特殊な部品製作が…

当社では、銅合金、アルミ合金、アルミ特殊複合材の砂型鋳造を 行っております。 材料メーカーと共同で新素材開発にも取り組み、新たな高機能材料を提供。 社内に機械加工部門・組立部門を保有し、また、協力体制のある 企業との連携もあり、鋳造⇒熱処理・T6処理⇒機械加工⇒仕上げ⇒ 塗装・メッキ⇒組立と一貫した部品製作が可能です。 【取り扱い素材(一部)】 ■銅合金 ・CAC402...

メーカー・取り扱い企業： 東金属産業株式会社 本社・沼津工場

【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価

極浅い領域でも高感度に分析

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の表面近傍について、金属元素の定量分析を行った事例を示します。 TOF-SIMSでは極浅い領域でも高感度に評価が可能です。...詳しいデータはカタロ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII（Plasma Based Ion Implantation) 　カーボン成膜が可能 ・スパッタ 　電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA（Rapid thermal annealing） 　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【技術資料進呈中！】ウェーハ研磨加工プロセスと加工素材&技術紹介

数百種類以上の半導体素材の研磨を扱っている技術を紹介！各種ウェーハの研…

当資料では、日本エクシードの各種ウェーハの研磨プロセス・洗浄・加工技術を写真や分析事例などで紹介しています。 長年にわたる研磨加工の経験の上に独自の研究開発を幾度も繰り返し、単結晶と名の付く様々な素材を手掛ける技術力を 高次元で実現し、今では数百種類以上の半導体素材の研磨を扱う存在となりました。 研磨加工プロセスの研磨工程をはじめ、薄化加工技術を用いたSi特殊加工や加工素材などを掲載...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

『鏡面研磨技術』技術紹介

単結晶から金属・セラミック・樹脂までナノレベルで仕上げる表面仕上げにて…

株式会社クリスタル光学は、鏡面研磨技術を保有しております。 単結晶から金属・セラミック・樹脂まで、さまざまな材料をナノ レベルで仕上げる表面仕上げにて対応いたします。 これまで多種多様な材料を仕上げできた豊富な実績の元、自信を持って ご提供いたしますので、お気軽にご相談下さい。 【特長】 ■ナノレベルの表面仕上げ ■さまざまな最良に対応 ■材料実績が豊富 ※詳しく...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クリスタル光学

固体分析　新サービス開始 （GDMS）

「多くの元素を感度よく測りたい!」というご要望にお応えします。 主成…

グロー放電質量分析計(GDMS)による新サービスを5/15(月)より開始しました。 ・主成分からppbレベルの微量成分までの70元素以上の同時分析が可能 ・従来困難であったC,N,Oをppmレベルで検出 ・nm～数十µm以上の深さ方向分析が可能 ...ワイドギャップ半導体材料として用いられるSiCやGaNは耐薬性が高いため完全溶解することができず、化学分析での不純物分析が困難でした。 一方...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Film Deposition&Heat Treatment

Equipped with various film depositi…

PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing....Film formation ・ PBII (Plasma Based Ion Implantation) Carbon deposition ・ Sputter Possible to form elect...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【資料】加工素材&技術紹介

Siウェーハや金属素材など！日本エクシードの加工素材や技術をご紹介

当資料では、日本エクシードの加工素材・技術をご紹介しております。 薄化加工技術を用いたSi特殊加工をはじめ、加工素材「Siウェーハ」や レーザー顕微鏡を使用した微小形状評価技術などを掲載。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【掲載内容(抜粋)】 ■Si特殊加工 ■6H-SiC単結晶(Si面) ■金属材料・金属膜 ■レーザー顕微鏡を使用した微小形...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法：XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野：パワーデバイス・照明 分析目的：微量濃度評価・構造評価...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST