除染ガス発生装置『steriXcure』

PR養生なしで電子機器などを除染可能。残留も少なく拭き上げ作業も不要。除染…

『steriXcure』は、核酸（DNA・RNA）を分解可能な複合ガスを発生させる装置です。 ドライガスによる除染が行えるため、除染前の電子機器などの養生がいらず、 低濃度で残留もほとんど無いため、除染後の拭き上げ作業も不要。 病原体を扱う実験室の除染のほか、動物実験施設内パスルームに持ち込む 電子機器やゲージ等の除染など、様々な場面で活用できます。 【特長】 ■養生や拭き...

メーカー・取り扱い企業： 水戸工業株式会社

バックターン洗浄機　自動戻りシステム搭載！

PR洗浄後にワークが自動的に戻ってくるため、一人での作業を実現！移動範囲も…

バックターン洗浄機は、洗浄出口からワークの自重でコンベヤに落下し戻ってくる方式で、複雑な制御装置が要らず一人作業で、コスト削減が見込める洗浄システムとなっております。 掲載画像寸法：1,350(H)×1,813(W)×4,800(L)mm。 ※コンベヤー部も含めた寸法です。 ※お客様の仕様により寸法は変わります。 ※乾燥機を装備する事も可能です。 【特長】 ■一人作業でコスト削...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ヒタカ精機

ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300

300mm角対応モデル。ローダー・アンローダーと連携可能で量産にも。 …

ター（下部加熱） ■温度制御方式：P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ300mmウエハ時） ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/min. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：90K/min.（T=450℃>200℃）、60K/min.（T=200℃>100℃） ■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa） ■窒...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

高精度 プログラマブル ホットプレート HP-220

必要な機能だけを気軽に使えるエントリーモデル（ユニテンプジャパン株式会…

mm 最大到達温度 250℃ 加熱方式 カートリッジヒーター（下部加熱） 温度制御方式 P.I.D.制御方式 プレート上面内温度差 設定温度に対して±1.5%以内 最大昇温速度 25K/min.（※対象物の熱容量に因る） 最大降温速度 10K/min.（※対象物の熱容量に因る） 窒素ガス 0.35～0.4 MPa（3.5～4 bar） プロセスガス供給ライン 手動ガス流量計 コ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

100 x 100mm ■加熱方式：IRヒーター ■最大到達温度：1200℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：150K/sec. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃） ■冷却方式：窒素ガスパージ方式 ■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RSO-200

金属の焼結にも使える最大昇温速度600K/min.の超高速昇温対応モデ…

ター（下部加熱） ■温度制御方式：P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時） ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：600K/min. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：200K/min.（T=650℃>400℃）、60K/min.（T=200℃>100℃） ■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa） ■...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-160-S

フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…

ター（下部加熱） ■温度制御方式：P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時） ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：100K/min. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：100K/min.（T=400℃>200℃） ■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa） ■プロセスガス供給ライン：マスフローコントロー...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-210-S

フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…

ター（下部加熱） ■温度制御方式：P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時） ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：240K/min. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.（T=400℃>200℃） ■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa） ■プロセスガス供給ライン：マスフローコントロー...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-110-S

フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…

ター（下部加熱） ■温度制御方式：P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ100mmウエハ時） ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：180K/min.（T=450℃>200℃） ■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa） ■窒素ガス：0.35～0.4MPa（3.5～4...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210

フラックスなどによりコンタミが多く発生してもメンテナンスが容易なモデル…

ター（下部加熱） ■温度制御方式：P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1%以内（対象物：Φ200mmウエハ時） ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min.（T=400℃>200℃） ■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa） ■プロセスガス供給ライン：マスフローコントロー...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S

対象物が大きい場合や同時作成にも適した、シリーズ最大の加熱プレートサイ…

加熱方式：クロス配列IRヒーター（下部加熱） ■温度制御方式：P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差：設定温度に対して±1.5%以内 ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：120K/min. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：90K/min.（T=300℃>200℃） ■チャンバー真空耐久度：0.1Pa（10-3hPa） ■プロセスガス供給ライン：マスフローコントローラ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

x 300mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：1000℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/sec. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1000℃>400℃） ■冷却方式：窒素ガスパージ方式 ■真空到達度：10-1Pa ■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 TP-700） ■プロファイ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

ス配列IRヒーター ■最大到達温度：1000℃ ■最大昇温速度（対象物の熱容量に因る）：75K/sec. ※EPモデルは150K/sec. ■最大降温速度（対象物の熱容量に因る）：190K/min.（T=1200℃>400℃） ■冷却方式：窒素ガスパージ方式 ■真空到達度：10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ：7インチタッチパネルコントローラ（SIMATIC製 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社