• 廃水処理システム「AT-BCシステム」 製品画像

    廃水処理システム「AT-BCシステム」

    PR低コストで廃水処理能力を大幅に向上可能!廃水処理設備を止めることなく増…

    【増設】 「処理施設の能力不足」や「設置場所が無く増設が困難」といった悩みを AT-BC装置を既設槽上に載せるだけで一発解決!低コストで廃水処理能力を大幅に向上させることができます。活性汚泥法と回転生物接触法の2つの処理法を進化させた廃水処理システムです。 【特長】 ■廃水を止める事無く増設が可能 ■工期は2週間程度 ■既設槽上にAT装置を載せるだけで能力が倍以上に ■設備投資費用は2...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社バチルテクノコーポレーション

  • 「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集 製品画像

    「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

    光電子分光分析装置(ESCA)を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載!

    例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜とチタン酸化膜の積層膜をESCA (Quantum-2000)によって分析した結果を掲載しております。 【掲載概要】 ■ESCAによる多層膜の深さ分析の分析結果 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 砒素イオン注入深さ分析 製品画像

    砒素イオン注入深さ分析

    SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

    当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30Si16O など)が...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • アルミイオン注入深さ分析 製品画像

    アルミイオン注入深さ分析

    検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

    半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化す...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析 製品画像

    SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

    SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

    ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015 [atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

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