SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)

小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。

0mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。 半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。 【特長（SiCパワー半導体素子）】 ■小さなオン抵抗 ■短いスイッチング時間 ■高温動作 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新陽