東北大学技術：高密度プラズマスパッタリング装置：T16-141

基板ダメージが少ない／イオン量とエネルギーを独立制御／磁性体ターゲット…

デバイスの微細化の進展または薄膜結晶の高品質化の要求が高まるにつれて、スパッタリングにおいて基板へのイオンダメージが大きな問題となっている。従来広く利用されているマグネトロンスパッタ法では、ターゲット材と基板の間に直接プラズマを形成するため、「1　イオンダメージの回避が困難」であり、高密度プラズマ生成時にはこの問題が顕著化してしまう。またプラズマ生成のための放電とイオン引き込みを同一の電源で同時に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東北テクノアーチ