超急速凍結機【最大－75℃対応】

PR独自のヒートポンプ開発技術により業界最高クラスの－55℃と－75℃の極…

超急速凍結機【最大マイナス75℃対応】 －1℃～－5℃の最大氷結晶生成温度帯を素早く通過させるため、凍結時に細胞を破壊せず、ドリップ(旨味成分)の流出を抑制。 フードロス削減、食の安全性向上（アニサキス対策等）に大きく貢献します。 【特長】 ■独自のヒートポンプ開発技術により、業界最高クラスの－55℃と－75℃を実現 ■特殊断熱素材の採用により、省エネ（低ランニングコスト）を...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社IFT

表面改質技術『COT処理』※検証動画公開

PR医薬品・食品の付着防止と滑り性改善に。皮膜剥落による異物混入リスクがゼ…

『COT処理』は、独自の表面改質加工により、母材の表面に滑らかで微細な凹凸や、 マルチスケール構造を形成し、滑り性や離型性、洗浄性を高める技術です。 基材表面を改質する技術のため、皮膜剥落による異物混入リスクがなく、 用途に合わせて表面構造を高精度に制御でき、複雑形状品にも施工可能です。 金属、樹脂、セラミック、ガラスなど様々な素材に施工でき、 熱による変形・変色が懸念される薄板...

メーカー・取り扱い企業： 千代田交易株式会社

【分析事例】リチウムイオン二次電池内部の非破壊観察

X線CTによる観察事例

リチウムイオン二次電池はスマートフォン・デジタルカメラなど、幅広く使われている電池です。リチウムイオン二次電池は充放電を繰り返すことで劣化し、電池が膨らむ現象が発生することがあります。この現象が発生した電池を調査する場合、内部に溜まったガスや電解液等による反応が懸念され、加工には危険を伴うことから非破壊で内部の構造を確認する必要があります。 本事例では充放電を繰り返したリチウムイオン二次電池の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO薄膜のXAFSによる局所構造解析

酸化物半導体中、金属元素の価数・配位数・構造秩序性の評価

透明酸化物半導体のIGZO薄膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進められていますが、TFT特性の安定性の面で実用に課題が残されております。この課題を解決するためにはIGZO成膜メカニズムの解明が重要です。IGZO薄膜について、金属元素の電子状態およびその局所構造を、放射光を用いたXAFS解析によって明らかにすることでIGZO成膜メカニズムに関する知見を得ることが可能です。 Zn-K 端X...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO 薄膜の結晶性・膜密度評価

酸化物半導体のXRD・XRR分析事例

透明酸化物半導体であるIGZO薄膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいます。 IGZOは膜の組成・酸素欠損の有無・結晶性で大きく特性が変化する材料でもあり、膜質との相関を考慮することが重要です。加熱温度の異なる3種類のIGZO薄膜の結晶性・膜厚・膜密度をXRD・XRRにて測定し、比較を行った事例をご紹介します。高温では結晶化が進み、膜密度が高くなっている様子を非破壊で確認することが...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO（粉末・バルク・薄膜）の組成・不純物分析

主成分及び金属不純物元素の定量分析

透明酸化物半導体であるIGZO薄膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいます。 IGZOは薄膜の組成や膜中の不純物量で特性が変化する材料であり、組成・不純物の情報を得ることは重要です。 今回は薄膜の原料であるIGZO粉末の主成分及び金属不純物元素量について、ICP-MSを用いて高精度に評価した事例を紹介します。粉末に限らずバルク・薄膜でも分析可能です。...詳しいデータはカタログを...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO膜の局所結晶構造解析

電子回折で結晶性・配向性を連続的に評価

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 薄膜中の結晶構造の有無はTFT特性や信頼性に影響する可能性があり、デバイス中における局所的な結晶評価が必要になります。 TEMの電子回折測定を用いてIGZO膜中の結晶構造を連続的に評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS薄膜太陽電池の結晶粒と抵抗評価

同一箇所における抵抗分布と結晶粒・結晶粒界評価

SSRMでは局所抵抗に関する知見を、EBSDでは結晶粒・粒界に関する知見を得ることができます。 EBSD測定と同一箇所でSSRM 測定を行うことで、結晶粒界部を含んだ領域の局所抵抗を測定しましたので紹介いたします。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO膜へのTi拡散評価

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中に金属元素が拡散するとTFT特性が劣化することが懸念されるため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中の金属濃度を精度良く測定する必要があります。 SSDP-SIMSを用いて金属電極の反対側からIGZO膜中のTi濃度を評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO膜の化学状態評価

XPS・UPSを用いた結合状態・電子状態評価

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 複数の金属元素から構成されるため、プロセスによってどのように組成や結合状態、電子状態がどのように変化するかを把握しておくことが重要です。 XPS・UPSを用いてIGZO膜表面の組成・結合状態・電子状態を評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO膜中H濃度評価

IGZO膜中Hについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中のH濃度に応じてキャリア濃度が変化して電気特性が変動するため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中のH濃度を精度良く測定する必要があります。 SIMSを用いて加熱条件の異なるIGZO膜中のH濃度を評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST