• 技術資料『JIS規格「分銅」と製造工程の紹介』 製品画像

    技術資料『JIS規格「分銅」と製造工程の紹介』

    PRJIS分銅の製造から市場供給までの流れをご紹介。JIS規格の概要も解説

    当社は、質量計測を主軸とし、天びん・分銅の製造や校正サービスを手掛けています。 100年以上にわたって蓄積したノウハウを元に、高度な技術が求められる 機械式はかりの組立や、1μgレベルの高精度な質量調整・校正が可能です。 本資料では、分銅の信頼性を担保する「JISマーク付き分銅」について紹介。 精度等級や特性評価基準などのほか、製造・検査工程などを紹介しています。 【掲載内容(一...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社村上衡器製作所

  • 実験用プラスチック消耗品 製品画像

    実験用プラスチック消耗品

    PR【リフィルピペットチップ・未滅菌ピペットチップの特別セール実施中】 …

    バイオアライフサイエンスジャパンの『実験用プラスチック消耗品』をご紹介します。 PCRチューブ、プレート、チップ等のプラスチック製品をラインナップ! 高純度の原材料を使用し、清浄度レベル:ISO/JIS8 (class100,000)のダストフリー工場で製造しています。 日本ブランドの射出成型機と高精度な金型を使用して製造され、 安定した品質を確保しています。 【特長】 ...

    メーカー・取り扱い企業: バイオアライフサイエンスジャパン株式会社

  • [IP法]Arイオン研磨加工 製品画像

    [IP法]Arイオン研磨加工

    IP法は、研磨法の一種でイオンビームを用いて加工する方法です

    IP法は、エネルギー及び方向を揃えたイオンビームを試料に照射したときに試料表面から試料原子が弾き飛ばされるスパッタリング現象を利用して、試料表面を削り取る方法です。 イオン種は通常試料との化学反応の心配のない希ガス(MSTではAr)が用いられます。加工面のAES分析では遮光板成分(Ni,P)は検出下限以下でした。...カードエッジコネクタについてIP加工後、反射電子像観察を行いました。 IP法...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • Arイオンミリング加工 製品画像

    Arイオンミリング加工

    機械研磨を行った後低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ5…

    Arイオンミリング法とは、機械研磨を行った後、低加速Arイオンビームで仕上げ加工を行うことで厚さ50nm以下の透過電子顕微鏡用の薄膜試料を作製する加工法です。...1.貼り合わせ サンプル同士もしくは支持基板とを接着剤で貼り合わせます。 2.切断 数mmの厚みで切り出します。 3.研磨 機械研磨を行い、貼り合わせ界面が中心になるように薄くします。 4.Arイオンミリング ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [SRA]広がり抵抗測定法 製品画像

    [SRA]広がり抵抗測定法

    SRA:Spreading Resistance Analysis

    SRAは測定試料を斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP(Spreading Resistance Profiling)とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12~2E20 /cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能 ・ 約20μm×100μm以上の大きさのパターン試...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】バンプの広域断面観察 製品画像

    【分析事例】バンプの広域断面観察

    イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です

    イオンポリッシュ(IP)法では、機械研磨法で問題となっていた加工ダメージ(界面の剥離・硬さの違いによる段差・研磨による傷など)が少ない断面の作製が可能です。加工位置精度も向上し、微小部位を含む広域断面作製も可能です。結晶の損傷が少ないため、綺麗な結晶パターンが得られます。また、機械的応力の影響がないため、内部構造を忠実に保存したまま、AES分析・SEM観察・EDX分析などにより、詳細に特定部位の断...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価 製品画像

    【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

    ドーパントの活性化率に関する評価が可能

    SRA(Spreading Resistance Analysis)はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です(図1)。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタロ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • PV(太陽電池)各種評価事例集 製品画像

    PV(太陽電池)各種評価事例集

    太陽電池(PV)の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…

    PV EXPO2013(国際太陽電池展)展示会にご来場いただけなかった方、MSTブースにお立ち寄りいただけなかった方、もう一度MSTの展示会資料をご覧になりたい方、ぜひご覧ください。 太陽電池の研究・開発・製造に必要な部品・材料、装置、セル・モジュールが一堂に出展する展示会『PV EXPO 2013』で使用したパネル資料全6枚のご紹介です。 [掲載内容] 有機薄膜太陽電池の活性層の...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】海水中のTOC量評価 製品画像

    【分析事例】海水中のTOC量評価

    塩を含む溶液中のTOC濃度の分析が可能です

    TOC(全有機炭素:Total Organic Carbon)計は、試料中に含まれる有機物の量を評価することができます。TOCの測定値は、河川や工業用水の水質汚濁を監視・管理する指標として広く採用されています。 今回はNPOC法(不揮発性有機体炭素:Non-Purgeable Organic Carbon)を用いた海水の分析事例を紹介します。TOCを再現性良く測定することができ、他にも塩を含む...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SRAの濃度換算について 製品画像

    【分析事例】SRAの濃度換算について

    SRA:広がり抵抗測定法

    1. 斜め研磨した試料面に2探針を接触させ直下の広がり抵抗(Ω)を測定する 2. 標準試料の測定より校正曲線*)を作成し、それを用いて抵抗を比抵抗(Ω・cm)に換算するまた、必要に応じて体積補正による分布の補正を行う *)校正曲線は導電型(p型/n型)、および面方位によって異なります 3. 比抵抗とキャリア濃度の関係式*)を用いてキャリア濃度(/cm3) を算出する...詳しいデータはカタ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察 製品画像

    【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

    前処理から発光箇所特定まで一貫解析

    高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用い...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】CMOSセンサの総合評価 製品画像

    【分析事例】CMOSセンサの総合評価

    スマートフォン部品のリバースエンジニアリング

    市販品のスマートフォンからレンズ、CMOSセンサチップをそれぞれ取り出し、評価した事例をご紹介します。 目的に応じて研磨・FIB加工により、平面、断面を作製し、TEM,SEMにより層構造やレイヤーを確認しまた。さらに、EDXにより膜種の同定を行いました。MSTでは、解体から分析まで一貫してお引き受けが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価 製品画像

    【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

    SCMによる特定箇所の拡散層評価

    市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のSEM観察を行い、SCM分析結果と画像合成を行うことで、...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SRAの深さ換算について 製品画像

    【分析事例】SRAの深さ換算について

    SRA:広がり抵抗測定法

    SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値(ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求められます。 尚、ベベルエッジから距離は【X-step 】×【測定点数】となります。...詳しいデータはカタログをご覧くだ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】リチウムイオン二次電池 電極材料の評価 製品画像

    【分析事例】リチウムイオン二次電池 電極材料の評価

    雰囲気制御イオン研磨(IP)加工を用いた断面観察が可能

    リチウムイオン二次電池の電極は、容量等電池の性能や信頼性を大きく左右する非常に大きな構成材料です。充放電サイクル試験後の電極材料を雰囲気制御下でイオン研磨(IP)加工を行うことで、大気暴露による劣化を抑えて正確に観察することができます。 今回、充放電後のリチウムイオン二次電池の正極材料に関して、雰囲気制御効果をIP加工後のSEM観察結果を比較することで検証した事例をご紹介します。...詳しいデー...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】LIB(リチウムイオン)正極材料の抵抗分布評価 製品画像

    【分析事例】LIB(リチウムイオン)正極材料の抵抗分布評価

    正極材料の導電性をSSRMを用いてマッピング

    リチウムイオン二次電池の正極について、その形状と導電性をマッピングすることで、周囲と絶縁された結晶粒や劣化によって導電性が低下した活物質の分布を可視化することが可能です。 本事例では、リチウムイオン二次電池の正極を機械研磨によって断面を作製してSSRM測定を行い、統計処理によって材質の分布を推定した結果をご紹介します。 測定法:SSRM 製品分野:二次電池 分析目的:組成分布評価・形状評価...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

1〜14 件 / 全 14 件
表示件数
45件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。