水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…

（VFB） ■界面準位測定（Dit） ■エピ層の抵抗率測定（ρ） ■低ドースイオン注入の部分的ドース量の評価（PID） ■ライフタイム測定（τｇ） ■高／低誘電材料の誘電率測定（ε） ■絶縁膜の信頼性試験（TZDB、TDDB） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

ーリエ変換し反射率スペクトルを得る。この反射率スペクトルは既存のFTIR解析技術に加え、各種測定アプリケーション（膜材とその構造）に対応可能なデータベース化された解析モデルを使用して、測定対象（主に絶縁膜）の膜厚、トレンチ深さ、空孔率、ドープ濃度、TSV形状、リセス測定などを数秒で同時測定することができる。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社