「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

光電子分光分析装置（ESCA）を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載！

例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜とチタン酸化膜の積層膜をESCA （Quantum-2000）によって分析した結果を掲載しております。 【掲載概要】 ■ESCAによる多層膜の深さ分析の分析結果 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が...

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アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化す...

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SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015 [atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気...

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