廃水処理システム「AT-BCシステム」

PR低コストで廃水処理能力を大幅に向上可能！廃水処理設備を止めることなく増…

【増設】 「処理施設の能力不足」や「設置場所が無く増設が困難」といった悩みを AT-BC装置を既設槽上に載せるだけで一発解決！低コストで廃水処理能力を大幅に向上させることができます。活性汚泥法と回転生物接触法の２つの処理法を進化させた廃水処理システムです。 【特長】 ■廃水を止める事無く増設が可能　■工期は2週間程度 ■既設槽上にAT装置を載せるだけで能力が倍以上に ■設備投資費用は２...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社バチルテクノコーポレーション

【分析事例】低分子シロキサンの定量分析

アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します

す。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出ることが知られており、シロキサンのアウトガス量を調査しておくことは重要です。 本資料では、シリコンチューブを200℃で加熱した際の環状ジメチルシロキサンの発生量を調査した事例を紹介します。。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価

対象元素に応じて測定条件を選択

フレキシブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエハ表面の金属・有機物汚染評価

複数手法の分析結果より、複合的に評価

析・評価することで発生原因を究明し、不具合を改善することができます。本資料では、Siウエハ表面に付着した汚染をICP-MSとSWA-GC/MS※で複合的に分析した事例をご紹介します。 ※SWA（シリコンウエハアナライザー）-GC/MSとは、ウエハごと電気炉で加熱して有機物をガス化し、GC/MSで測定する手法です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm～20mm程度...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPS多点測定による広域定量マッピング

最大70×70mm領域の組成分布評価

XPS多点測定による広域定量マッピングの事例をご紹介します。 シリコンウエハ上の有機物残渣について、以下の手順で評価いたしました。ピーク強度ではなく存在量（原子濃度）をグラフ化するため、試料凹凸等の影響を受けにくく、且つ広域でのデータ取得が可能です。 試料表面付着...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

振動モニタリングセンサー　２軸・３軸加速度計　多点での計測に最適

構造物等の振動解析に最適　低い加速度gの計測でモニタリングなど多くのセ…

を製造しており世界各国でOEM用としても多くの実績があります。加速度計にはこの半導体ゲージを使用しており微小なパラメータ検出から衝撃測定まで幅広く販売しています。 □■性能■□ ・DC応答シリコンMEMS加速度計 ・計測軸：2軸or3軸 ・計測レンジ⇔感度：±2g⇔1000mV/g、±6g⇔333 ・印加電圧：5～30V ・印加電流：5mA ・作動温度領域：-40～+85℃ ・...

メーカー・取り扱い企業： エフ・アイ・ティー・パシフィック株式会社

水銀フリーに！デジタル真空計【デモ機有】

ガラス・水銀からデジタルへ。デジタル表示で一目で確認。モバイル電源（オ…

力：USB-2.0(Micro USB-B) 　センサ方式：半導体圧力センサ 　電源：AC100～240V(ACアダプダ) ■NMV-104N 　被測定ガス体：非腐食性気体 　受圧素子：シリコン 　圧力サポート：φ11ホースニップル-Rc1/4 BS ■NMV-104C 　被測定ガス体：SUS316L／SUS304が耐える気体 　受圧素子：SUS316L 　圧力サポート：φ11...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社岡野製作所

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

TOF-SIMSで得られる分子情報の深さ方向分析では、（1）深さ方向分解能が良い、（2）酸化物・窒化物・ふッ化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、（3）微量な状態の評価が可能、（4）OHのモニターが可能、（5）相対的なサンプル間の比較（膜厚・組成）が可能、（6）イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化膜の結果をまと...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化す...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程から膜厚を見積もります（式１）。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015 [atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

新発売！デジタル真空計『NMV-104N/104C』

水銀フリー！U字型真空計の代替えに最適！小型・軽量のデジタル真空計

力：USB-2.0(Micro USB-B) 　センサ方式：半導体圧力センサ 　電源：AC100～240V(ACアダプダ) ■NMV-104N 　被測定ガス体：非腐食性気体 　受圧素子：シリコン 　圧力サポート：φ11ホースニップル-Rc1/4 BS ■NMV-104C 　被測定ガス体：SUS316L／SUS304が耐える気体 　受圧素子：SUS316L 　圧力サポート：φ11...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社岡野製作所