技術資料 | イプロス医薬食品技術

PR紙パックの検査で容器の凹みや傷にお困りの方必見！紙パックの非接触での検…

「ECLIPSE」は、100％非接触検査が可能な紙パック容器用のリーク検査機です。 2024年6月より、お客様のご要望に応じて、サンプルのリークテストを実施しておりましたが、 2024年7月中旬より、日本がアジア市場において先行して「ECLIPSE」を発売する運びとなりました。また、6月中旬にはアキュレックス主催にて、アメリカのTapTone社の技術者とアジア各国の代理店が集結し、合同技術...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アキュレックス本社、大阪営業所

特殊な印刷も承ります。食品表示ラベルの製造ならお任せください！

PR同じ容器で中身と食品表示ラベルを変えるだけ！効率的にラインナップが増や…

弊社では、フルカラーデジタル印刷やバリアブル（可変情報）印刷など様々な印刷技術を駆使して商品ラベルや銘板シールの製造を行っています。共通の容器・袋・パッケージなどに、異なるラベルやシールを貼り付けることで、効率的にラインナップを増やせます。現在、印刷・加工技術を事例と共にご紹介したカタログを進呈中。また、ラベル・シールの無料サンプルも進呈中です。【このようなお困りごと・ご要望にお...

メーカー・取り扱い企業：株式会社カナエ

【分析事例】におい成分の一斉分析

ガスクロマトグラフィー質量分析器を用いたにおい成分の同定

においは、人に快感を与える「匂い」や不快感を与える「臭い」など、様々な表現で日常的に使われています。においは、1種類のにおい成分として存在することは少なく、種々のにおい成分が混ざり合った状態で存在します。これら複合的なにおいを可視化するには、ガスクロマトグラフィー質量分析器(GC/MS)を用いた機器分析が有効です。本資料では、におい成分分析の流れと、悪臭を一斉に分析した事例をご紹介します。...詳...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TOF-SIMSによる微小領域の定性・イメージ分析

サブμmオーダーの異物、微小領域の定性・イメージ分析が可能

TOF-SIMSは、着目箇所を局所的に分析して得られる質量スペクトルにより元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時に可能なことから、異物や微小領域の評価に有効です。本資料は、サブμmオーダーの微小領域の分析例をまとめます。層構造の試料上にFIBでスパッタ加工を行ったサンプルを、TOF-SIMSで測定をしました。サブμmオーダーの微小領域を評価をすることが出来ています。...詳しいデー...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価

不純物元素の定量評価が可能です

酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の不純物濃度分析を行った事例をご紹介します。 B,Cはバックグラウンドレベル以下、Siは存在していることがわかります。 MSTでは、Ga2O3標準試...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります...詳しいデ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】塗料と基材界面の状態観察

試料冷却により塗料の基材への塗布状態を評価

塗料は、対象材料の表面に塗布することにより、着色する・保護する・機能を付与するなど、様々な目的で用いられています。いずれの場合も、対象材料に塗料を付着不良なく塗布することが求められます。本資料では、ステンレスと有機フィルムの２種類の基材上に導電性塗料を塗布し、クライオSEMにより塗料と基材界面の状態を観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる歯科インプラントの評価

最表面の組成・結合状態の評価が可能

歯科インプラントとは、虫歯や歯周病などにより歯を失った場合に顎の骨に埋め込む人工的な器具です。インプラントの材料はチタン・チタン合金が多く用いられ、インプラントと骨との結合を促進する目的で、表面に様々なコーティングが施されています。インプラントは生体に埋め込むため、生体と直接触れる表面部の安全性評価が重要です。XPSは最表面(～5nm程度) の組成・結合状態の評価が可能です。本資料では、X...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です

走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）及び走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は、どちらも二次電子像を得ることで試料表面近傍の構造評価を行う手法です。一次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価

価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

放射光を用いた軟X線発光分光（SXES）は材料を構成する各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度（pDOS）を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、1.バルクの情報が得られる 2.絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能 3.検出下限が低い（＜1atomic%）などが挙げられ、特に軽元素(B,C,N,O等)を含んだ材料の評...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST