【SDGs対応】高温集塵フィルター『パイロスクリーン』

PR繰り返し使うことで環境負荷削減！金属製の高性能な高温集塵フィルター。

「パイロスクリーン」は、ステンレスまたは、アルミ製の高温集塵フィルターです。 ダストを含んだ気流を強制的に方向転換させるスクリーンを10枚複合することで、90～99%以上の除塵効率を実現しました。 圧力損失が極めて小さい点、材質・構造から高強度な点が大きな特長です。 【パイロスクリーンの特長・メリット】 ■乾性・湿性どちらにも使用可能 　ステンレス製フィルターなので乾・湿どちらにも使...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社布引製作所 本社

KrosFlo KR2i RPM システム

PRサイクル時間を短縮！歩留率を向上させることでプロセスの効率性を高めます

当社では、リアルタイムプロセス管理とラボスケールタンジェンシャル フローろ過(TFF)を統合した『KrosFlo KR2i RPM システム』を 取り扱っております。 当システムは、KrosFlo KR2i システムとCTech FlowVPX 可変光路長紫外可視分光光度計を組み合わせ、インライン濃度 モニタリングとエンドポイント制御を備えた自動TFFを提供。 KR2iとFlo...

メーカー・取り扱い企業： レプリジェンジャパン合同会社

【分析事例】直鎖アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩の分析

容器貸し出しから分析結果までトータルでサポートします！

の塩（LAS）は、陰イオン界面活性剤として家庭用洗濯用洗剤などに用いられており、平成25年3月27日に公共用水域における水生生物保全環境基準として新たに追加されました。環境基準は6-50μg/Lと低濃度のため、測定には環境基準の測定手法としては初めて高速液体クロマトグラフ・タンデム質量分析法（LC/MS/MS）が指定されました。MSTでは専用の容器貸し出しから測定まで一括で行うサービスを受託してお...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

れていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価したい元素などお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価

真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）による局所抵抗分布評価

とで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。CIGS層はi-ZnO層よりも高抵抗であること、CdSはこれらの層よりもさらに高抵抗であることが分かりました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のSEM観察を行い、SCM分析結果と画像合成を行うことで、拡散層と上部配線構造との位置関係を明確にでき...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2

目的に応じた分析条件で測定します

市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。 分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を同時に測定することが可能です。多元素同時測定した場合と、それぞれの元素...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】結晶Si太陽電池の拡散層評価

ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価

裏面電極型結晶Si太陽電池（バックコンタクト型Si太陽電池）において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST