【SDGs対応】高温集塵フィルター『パイロスクリーン』

PR繰り返し使うことで環境負荷削減！金属製の高性能な高温集塵フィルター。

「パイロスクリーン」は、ステンレスまたは、アルミ製の高温集塵フィルターです。 ダストを含んだ気流を強制的に方向転換させるスクリーンを10枚複合することで、90～99%以上の除塵効率を実現しました。 圧力損失が極めて小さい点、材質・構造から高強度な点が大きな特長です。 【パイロスクリーンの特長・メリット】 ■乾性・湿性どちらにも使用可能 　ステンレス製フィルターなので乾・湿どちらにも使...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社布引製作所 本社

除染ガス発生装置『steriXcure』

PR養生なしで電子機器などを除染可能。残留も少なく拭き上げ作業も不要。除染…

『steriXcure』は、核酸（DNA・RNA）を分解可能な複合ガスを発生させる装置です。 ドライガスによる除染が行えるため、除染前の電子機器などの養生がいらず、 低濃度で残留もほとんど無いため、除染後の拭き上げ作業も不要。 病原体を扱う実験室の除染のほか、動物実験施設内パスルームに持ち込む 電子機器やゲージ等の除染など、様々な場面で活用できます。 【特長】 ■養生や拭き...

メーカー・取り扱い企業： 水戸工業株式会社

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはCha...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si中不純物の超高感度測定

感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します

を1元素に限定することで感度が大幅に向上し、5E13 atoms/cm3以下のppt (parts pertrillion)レベルまで評価することが可能となり、IGBTデバイスや高純度ウエハなどの低濃度の不純物評価に有効です。本資料ではSi中の低濃度の不純物について超高感度に評価を行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です

市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの深さ方向濃度分布を抽出し、パターン毎に濃度分布の比較を行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si表面近傍のBの深さ方向分布評価

試料冷却による高精度なBのプロファイル分析

デバイスの設計の上で特性に大きく影響を与えるSi中Bの濃度分布は、SIMS分析により高感度・高深さ方向分解能での評価が可能です。しかし、一般的な分析条件では、測定起因によりBの濃度分布に歪みが生じることがわかりました。 MSTでは試料冷却がこの歪み補正に...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO膜へのTi拡散評価

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中に金属元素が拡散するとTFT特性が劣化することが懸念されるため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中の金属濃度を精度良く測定する必要があります。 SSDP-SIMSを用いて金属電極の反対側からIGZO膜中のTi濃度を評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

チャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しました。 測定法：SIMS・SCM・TEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃度評価・形状評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS薄膜の組成分布分析

薄膜の組成定量、面内分布、深さ方向分布の評価が可能

吸収層の成膜プロセスの条件最適化が必要とされており、CIGS組成の組成分布の制御が重要になっています。 成膜したCIGS薄膜の組成について、ICP-MSで高精度に定量した事例、SIMSで深さ方向に濃度分布を評価した事例、およびXRFにて基板面内の濃度分布を評価した事例を紹介します。 測定法：SIMS・ICP-MS・XRF・エッチング 製品分野：太陽電池 分析目的：組成評価・同定・組成分布評...

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【分析事例】ノニルフェノール（NP）の分析

容器貸し出しから分析結果までトータルでサポートします！

ール（NP）を追加することが告示されました（平成24年8月22日）。NPは生物への影響 が懸念される物質とされており、基準値は水域・類型別に0.0006～0.002 mg/Lと設定されています。この濃度領域においてNPの濃度評価を行った事例をご紹介します。 MSTでは専用の容器貸し出しから測定まで一括で行うサービスを受託しております。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiON膜の評価

膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能

高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量（単位：atoms/cm2）を高い精度で評価が可能です（図1）。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカーブ算出することが...

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【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAl,N,Pの深さ方向濃度分布を抽出した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】最表面シラノール基の評価

TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です

や親水性などの特性に影響を与えます。そのため、その後の表面処理に影響を与える可能性が高く制御が必要となります。 シラノール基の定量をTOF-SIMSで行った事例をご紹介します。評価を行うにあたり、濃度の異なる数種類のサンプルを用いて検量線を作成しました。測定例では、材質・状態の異なるサンプル表面のシラノール基を比較しました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法：XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野：パワーデバイス・照明 分析目的：微量濃度評価・構造評価・形状評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS太陽電池の各層の相互拡散評価

表面の凹凸の影響を受けない高精度な測定が可能です

することにより、Cd, Zn, OなどのCIGS層中への顕著な拡散がないことがわかります。（図4） 相互拡散の他にも、主成分（Cu, In, Ga, Se）の組成変化、不純物（B, Na, Fe）の濃度分布の評価が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】揮発性有機化合物（VOC）P&Tによる微量成分の検出

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

浄時に使用され、洗浄用水等に極微量で含まれる可能性があります。水中のVOCは、極微量であっても臭気の原因になることや健康被害を引き起こすことが懸念されることから、環境基準値や排水基準値が定められ、低濃度まで測定可能な手法が必要とされています。本事例では、P&T(パージ&トラップ)で濃縮した成分をGC/MSに導入することによって、水中の微量なVOC成分（サブppbレベル）を検出する事例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST