• テカンはインターフェックスへ出展します! 製品画像

    テカンはインターフェックスへ出展します!

    PR医薬品・化粧品の研究・製造に関わる製品・技術・サービスが出展する最大級…

    インターフェックスWeek 2024 ファーマラボEXPO 出展 日程:2024年6月26日(水)~28日(金)10:00~17:00 場所:東京ビッグサイト https://www.interphex.jp/tokyo/ja-jp.html ファーマラボEXPOのラボオートメーションゾーンへ出展します。 以下の製品を紹介いたしますので、ぜひお越しください。 ・自動分注機Fluen...

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    メーカー・取り扱い企業: テカンジャパン株式会社

  • [DSC]示差走査熱量測定 製品画像

    [DSC]示差走査熱量測定

    DSCは、加熱することによって生じる熱量変化からサンプルの物性などを評…

    DSCは、加熱することによって生じる熱量変化からサンプルの物性などを評価することができます。 ・ 融点・結晶化温度・ガラス転移温度・キュリー点・比熱などを確認することができます。 ・ 結晶化度・純度・反応速度及び結晶化速度などの測定に応用が可能です。 ・ 氷点下から測定できるため、自由水・結合水の評価が可能です。...熱流束型DSCは基準物質とサンプルを同時に加熱した時の温度差を連続的に...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【EMCシールド製品導入事例】国立大学法人 豊橋技術科学大学様 製品画像

    【EMCシールド製品導入事例】国立大学法人 豊橋技術科学大学様

    EMCテント(W180×D180×H200cm/ネット2重)を導入した…

    国立大学法人 豊橋技術科学大学様へ、当社の『EMCテント (W180×D180×H200cm/ネット2重)』を導入した事例のご紹介です。 電波法の定める基準を超える電波が発生する可能性があるため、 EMCテント内で実験することを目的として導入。 試験終了後簡便に解体でき、保管場所も省スペースである点や、通気性、 採光性が他社製品より優れている点などが、導入の決め手となりました。 ...

    メーカー・取り扱い企業: メディカル・エイド株式会社

  • よくあるご質問(FAQ) サンプルについて 製品画像

    よくあるご質問(FAQ) サンプルについて

    サンプルについて、よくお問い合わせいただくご質問を、FAQ形式でまとめ…

    ご不明な点は何なりとお問い合わせください。...◆サンプルは返却してもらえますか? →基本的に全て返却いたします。加工を施したサンプルについては一部返却できないものがあります。 ◆サンプルはどこに送ればよいですか? →担当宛にお送りください。担当が不明の場合にはサンプル受付係宛てにお送りください。 〒157-0067 東京都世田谷区喜多見1-18-6 ◆サンプルを取りに来てもらう...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 絶対PL量子収率測定 製品画像

    絶対PL量子収率測定

    絶対PL量子収率測定は、材料の発光効率を求める手法です。

    絶対PL量子収率測定は、材料に吸収された光(エネルギー)に対し、どのくらいの効率で発光が得られるか、つまり材料の発光効率を求める手法です。 ・分光器付きの励起光源を用いているため、様々な波長(約350~800nm)での励起が可能 ■MSTの特徴 ・装置は雰囲気制御下で管理されているため、薄膜サンプルについては酸素の影響を受けずに測定することが可能...物質に光(紫外・可視光)を照射すると...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [EBIC]電子線誘起電流 製品画像

    [EBIC]電子線誘起電流

    試料内部の電界構造(半導体の接合構造)に関する情報を得ることができる手…

    SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC(Electron Beam Induced Current)と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法 製品画像

    [TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法

    電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定…

    EELS分析とは、電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定する手法です。物質の構成元素や電子構造を分析することができます。 TEMに付属している元素分析装置(EDX)と比較して、下記の特徴があります。 ・EDXに比べて軽元素の感度が良い ・EDXに比べてエネルギー分解能が高い ・EDXに比べて空間分解能が高く、周辺情報を検出し難い ・元素によっては化学状...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM) 製品画像

    [TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)

    EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギ…

    EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギーと発生回数を計測し、元素分析や組成分析を行う手法です。EDS: Energy Dispersive X-ray Spectroscopyとも呼ばれます。 多くの場合、SEMまたはTEMに付属しており、本資料ではTEMに付属のEDXについて紹介します。 ・全元素範囲(B~U)の同時分析が可能(付属装置によりBeの検出も可...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [AFM]原子間力顕微鏡法 製品画像

    [AFM]原子間力顕微鏡法

    ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測

    AFMは、微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 ・金属・半導体・酸化物など、絶縁体から軟質の有機物まで幅広い試料を測定可能 ・接触圧力が弱いタッピングモードを用いることで、試料ダメージを最小限に抑えることが可能...■使用する探針 シリコン単結晶ウエハを加工して作られた鋭い探針で試料表面を走査します。先端径は10nm未満にまで加工されています...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    EMS分析(エミッション顕微鏡法)

    故障箇所を迅速に特定

    EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。 ・測定波長領域(可視域から近赤外域)に対して透明な材料のみ評価可能 ・クラック・結晶欠陥・ESDによる酸化膜破壊・Alスパイクによるショートなどの内部の欠陥を低損傷で捉えることが可能...発光源としては、空間電荷領域でのキャリアの電界加速...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [AES]オージェ電子分光法 製品画像

    [AES]オージェ電子分光法

    試料表面(数nm程度の深さ)の元素の種類・存在量の評価

    AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面(数nm程度の深さ)に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。 ・固体材料の表面(深さ数nm)の定性・定量が可能 ・微小領域(数十nm~サブミクロン程度)の定性・定量が可能 ・主成分元素の深さ方向分析・線分析・面分析の測定が可能 ・SiやAl等、幾つかの元素については酸化物状態及び金属状...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量 製品画像

    【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量

    赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量

    シリコン単結晶中の格子間酸素及び炭素原子濃度をFT-IR分析により非破壊で求めることが可能です。透過法により測定したスペクトルの格子間酸素または炭素による吸収のピーク高さから算出します。 算出方法は、電子情報技術産業協会(JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industries Association)により規格されています。 ...

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  • [UV-Vis]紫外可視分光法 製品画像

    [UV-Vis]紫外可視分光法

    UV-Visは波長ごとに分けた光を測定試料に照射し、試料を透過した光の…

    UV-Visは、波長ごとに分けた光を測定試料に照射し、試料を透過した光の強度を測定することで、試料の吸光度や透過率を求める手法です。 吸光度測定により、試料中の目的成分の定性・定量分析や、試料の波長特性の評価が可能です。 また、透過率測定では、試料中の成分に特有の透過特性を評価できます。 ・紫外~可視~近赤外領域(波長域約190nm~約3000nm)における吸収スペクトル・透過スペクト...

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  • [SSDP用加工]基板側からの測定用加工 製品画像

    [SSDP用加工]基板側からの測定用加工

    基板側からの測定ができるように基板を削って薄片化

    二次イオン質量分析法(SIMS)では、試料表面の凹凸、イオン照射により表面側に存在する原子が奥側に押し込まれるノックオン効果やクレーター底面粗れ等の現象により、急峻な元素分布を得られない場合があります。この問題を解決するために、薄片化加工を行った基板側(裏面側)からSIMS分析を行うのがSSDP法(Back-Side SIMS法)です。この手法により、試料形状や測定条件に起因する影響を受けることな...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価 製品画像

    【分析事例】酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

    酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

    酸化物ReRAMでは、電場印加に伴う酸素拡散がメモリ動作(抵抗変化)と関連しているとされていました。 SIMS分析では同位体を測定可能であるため、同位体18Oイオン注入技術を利用すれば、酸素拡散の追跡が可能となります。18Oを局所的に注入した素子に対し、電場印加により動作領域となるブリッジ構造を形成し、元素マッピングを行った結果、ブリッジ部では18Oの強度が弱く、局所的に還元されていることが分か...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • OBIRCH分析(光ビーム加熱抵抗変動法) 製品画像

    OBIRCH分析(光ビーム加熱抵抗変動法)

    OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗…

    OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流経路を可視化。 ・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。...1.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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