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PR電動シリンダー搭載で「品質向上・数値管理」 簡単操作で高い生産性を実現…
「PLASEST-05E型」の稼働に必要なものは200V電源のみで、コンプレッサは不要です。 また、溶着後の厚み・加圧力と高周波条件を数値による設定管理を行う事で出来きます。 加工品の品質向上・安定した製品を生産できる高周波溶着機です。 タッチパネルに条件を保存することにより再現性の高い加工が可能。 電動シリンダーを採用により、下降速度、プレス間隔、加圧力、仕上げ厚みを制御可能。 特...
メーカー・取り扱い企業: 山本ビニター株式会社
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PRトリプル回転機構を採用!目的に応じたオプション製作も可能で、テスト対応…
『NEWマイクロミックス』は、臼の回転とは逆方向に公転する杵と 自転する杵先により、効率の良い撹拌、混合、すり潰しが可能な 真空加熱(冷却)式の製品です。 独自の回転スクレーバーによって粉砕効率も大幅アップ。 また、真空ポンプを搭載することで、容器内を減圧した状態で 撹拌ができます。 【特長(主な機能)】 ■「トリプル回転機構」により、効率の良い攪拌・粉砕・混合が可能 ■原料を運び込みながら...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ヤナギヤ 東京営業本部
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300
300mm角対応モデル。ローダー・アンローダーと連携可能で量産にも。 …
450℃ ■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ300mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=450℃>200℃)、60K/min.(T=200℃>100℃) ■チャンバー真空耐久...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
DxH):504 x 504 x 700mm ■装置重量:約55kg ■有効対象物サイズ(WxD):100 x 100mm ■加熱方式:IRヒーター ■最大到達温度:1200℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RSO-200
金属の焼結にも使える最大昇温速度600K/min.の超高速昇温対応モデ…
650℃ ■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):600K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):200K/min.(T=650℃>400℃)、60K/min.(T=200℃>100℃) ■チャンバー真空耐...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-210-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
到達温度:400℃ ■加熱方式:IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):240K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-110-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
400℃ ■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ100mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):180K/min.(T=450℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■窒素...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210
フラックスなどによりコンタミが多く発生してもメンテナンスが容易なモデル…
到達温度:400℃ ■加熱方式:IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S
対象物が大きい場合や同時作成にも適した、シリーズ最大の加熱プレートサイ…
50mm ■最大到達温度:300℃ ■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1.5%以内 ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=300℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-160-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
到達温度:400℃ ■加熱方式:IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ12対応 高速アニール加熱システム VPO-1000-300
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
04 x 504 x 830mm ■装置重量:約105kg ■有効対象物サイズ(WxD):300 x 300mm ■加熱方式:クロス配列IRヒーター ■最大到達温度:1000℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1000℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
504 x 504 x 570mm ■装置重量:約80kg ■有効対象物サイズ(WxD):156 x 156mm ■加熱方式:クロス配列IRヒーター ■最大到達温度:1000℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ※EPモデルは150K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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