CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 ＊直径: 100-200 mm ＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous ＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm ＊Epi厚: 1-150 um ＊Stacking fault: 10 /cm2 以下 ＊Thickness Uniformity: ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

1インチ以下～450ｍｍで提供可能　「CZウェーハ」

1インチ以下～４５０ｍｍまで提供が可能です。各種成膜加工、ＦＺウェーハ…

弊社では、半導体製造装置テスト用のモニターウェーハ・ダミーウェーハ、太陽電池用単結晶シリコンウェーハ・太陽電池用多結晶ウェーハ・ＳＯＩウェーハ・拡散ウェーハなどを取り扱っております。 お客様の用途に合わせて適したウェーハをご紹介させていただきます。 CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。 また貴社でお持ちのウェーハにＥＰＩ成膜を行ったり、SOIウェーハへの加工など...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

3インチ～12インチまで対応可能　「SOIウェーハ」

3インチ～12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…

CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径：3インチ～12インチ SOI層：2－200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） SiO2(酸化膜）層：0.5－2um程度(0.1-10umも対応可能） 支持基板：300-725um程度（直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） ＊仕様によります...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社