• 化粧品OEM「基礎知識集」※コスメビジネス参入についての基礎知識 製品画像

    化粧品OEM「基礎知識集」※コスメビジネス参入についての基礎知識

    PR異業種から化粧品ビジネスに参入するにあたっての抑えておくべきポイントを…

    当資料では、化粧品OEMの基礎知識についてご紹介しております。 「化粧品OEMとは」をはじめ、異業種の事業者様でもオリジナル化粧品を 作れる、小ロットスタートで在庫リスク軽減、販売・マーケティングに 専念できるといった導入する3つのメリットなどを詳しく掲載。 その他、製品化までの流れやオリオン粧品工業ができることなどについても 掲載しており、導入検討の際に参考にしやすい一冊となっ...

    メーカー・取り扱い企業: オリオン粧品工業株式会社

  • AI画像処理選別機『AIHシリーズ』 製品画像

    AI画像処理選別機『AIHシリーズ』

    PRAI画像処理により裏表両面を同時に検査し、異物や不良品を高速かつ高精度…

    『AIHシリーズ』は、AIによる画像処理を用いて、ピンポイントで 食品や医薬品などに含まれる異物を除去できる選別機です。 高速コンベアから投げ出された材料をCCDカメラで表裏両面から同時に検査。 検出した異物は圧縮空気の噴射によって、的確に排除されます。 2方向から検査することで、異物や不良品の見逃しを最小限に抑制。 食品や医薬品錠剤など粒状の製品、長さ3cm以下の樹脂や金属部品など...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社服部製作所

  • 組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化 製品画像

    組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

    2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

    歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 酸素リークによる深さ分析 製品画像

    酸素リークによる深さ分析

    SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介…

    材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析(SIMS)が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧い...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • アルミイオン注入深さ分析 製品画像

    アルミイオン注入深さ分析

    検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

    半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 砒素イオン注入深さ分析 製品画像

    砒素イオン注入深さ分析

    SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

    当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30Si16O など)が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析 製品画像

    SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

    SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

    SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

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