ガンマ線滅菌済PESメンブレンカプセルカートリッジフィルター

PR滅菌の手間がかからない！ 製薬、診断薬、培地、組織培養液、酵素等の濾過…

・ポリエーテルサルホン(PESU)製メンブレンフィルターとポリプロピレンから構成された、クリーン性に優れたカプセルフィルターです。 ・ガンマ線滅菌済みのため、お客様のもとで滅菌作業をせずすぐに使用可能です。 ・液系でのBrevundimonasdiminutaを使用したバクテリアチャレンジ試験により、 除菌性能をバリデーション済みです。 ・全数完全性試験実施済み、トレーサビリティも確保した高い信頼...

メーカー・取り扱い企業： アドバンテック東洋株式会社

オールインワン分注システム firefly

PRNGSライブラリー調製・PCR/qPCRのワークフローを自動化！

◆ 異なる分注ヘッドを搭載 　・96ch / 384ch / 8連 / 16連 チップ対応分注ヘッド 　・独立 3 or 6 ch 非接触分注ヘッド（dragonfly-head） NGSライブラリー調製において、サンプルトランスファー、ミキシング、上清除去（ビーズ精製）は、チップ式の分注ヘッドで、バッファー・酵素など多種の試薬の添加は、非接触型分注ヘッドで対応することにより、低デッドボリュー...

メーカー・取り扱い企業： SPT Labtech Japan株式会社

組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

酸素リークによる深さ分析

SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介…

材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析（SIMS）が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧い...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター