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10件 - メーカー・取り扱い企業
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PR医薬・研究・食品・環境分析など幅広い用途に応える高機能!独自開発による…
リニアポンプ『LRシリーズ』は独自開発による超高効率リニアドライブ により、優れた定量性と送液精度で医薬・研究・食品・環境分析など 幅広い用途に応える高機能を搭載しています。 【特長】 ■静音 新しい駆動方式の採用により騒音の原因となる運転音を回避。 ※ 運転条件、周囲環境により異なります。 ■無脈動 駆動部を独立制御。2つのポンプ部の交互運転により無脈動注入を実現。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イワキ
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PR洗浄後にワークが自動的に戻ってくるため、一人での作業を実現。 移動…
『バックターン洗浄機』は、洗浄出口からワークの自重でコンベヤに落下し戻ってくる方式で、複雑な制御装置が要らず一人作業で、コスト削減が見込める洗浄システムとなっております。 掲載画像寸法:1,350(H)×1,813(W)×4,800(L)mm。 ※コンベヤー部も含めた寸法です。 ※お客様の仕様により寸法は変わります。 ※乾燥機を装備する事も可能です。 【特長】 ■一人作業でコス...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ヒタカ精機
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300
300mm角対応モデル。ローダー・アンローダーと連携可能で量産にも。 …
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ300mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=450℃>200℃)、60K/min.(T=200℃>100℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■窒...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
100 x 100mm ■加熱方式:IRヒーター ■最大到達温度:1200℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RSO-200
金属の焼結にも使える最大昇温速度600K/min.の超高速昇温対応モデ…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):600K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):200K/min.(T=650℃>400℃)、60K/min.(T=200℃>100℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-210-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):240K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントロー...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-110-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ100mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):180K/min.(T=450℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■窒素ガス:0.35~0.4MPa(3.5~4...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-160-S
フラックスレス・ボイドフリー・鉛フリーなど高信頼性実装を実現するスタン…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントロー...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210
フラックスなどによりコンタミが多く発生してもメンテナンスが容易なモデル…
ター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時) ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントロー...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S
対象物が大きい場合や同時作成にも適した、シリーズ最大の加熱プレートサイ…
加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱) ■温度制御方式:P.I.D.制御方式 ■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1.5%以内 ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=300℃>200℃) ■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa) ■プロセスガス供給ライン:マスフローコントローラ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ12対応 高速アニール加熱システム VPO-1000-300
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
x 300mm ■加熱方式:クロス配列IRヒーター ■最大到達温度:1000℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1000℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa ■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700) ■プロファイ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…
ス配列IRヒーター ■最大到達温度:1000℃ ■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ※EPモデルは150K/sec. ■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃) ■冷却方式:窒素ガスパージ方式 ■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa ■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 ...
メーカー・取り扱い企業: 日精株式会社 本社
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