Fibocom　5G通信モジュール　FM160-JK

日本国内の電波技適認証済み、大手通信キャリアのIOT認証済み製品で安心…

FM160-JK：国内通信キャリアのリンク先 ■NTTコミュニケーションズ FM160-JK ｜ 相互接続性試験（IOT） https://www.ntt.com/business/iot/product/m231.ht...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査 型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。　...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Fibocom　LTE Cat.1モジュール　MG110-JP

日本国内の電波技適認証済み、大手通信キャリアのIOT認証済み製品で安心…

■製品概要 MG110-JPは、M2M、IoTアプリケーションに適した小型、低価格のLTE Cat.1通信対応モジュールです。 Qualcomm MDM9207 VoLTE, SMS, GNSS, FOTA対応 Windows, Linux, Android対応 USB 2.0, UART, GPIO, I2C, ADC, Digital audio interface LGA :...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

FZウェーハ　FZシリコン製品　ガスドープドＦＺシリコン

汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコン…

r＜111＞(直径による） ○伝導型（ドーパント）：P(Boron) or N(Phosphorus) ○抵抗率公差：抵抗率により異なります ○面内抵抗率分布：抵抗率により異なります ○キャリアライフタイム：抵抗率により異なります ○酸素・炭素濃度 ：＜2.0 × 10(16)atoms/cm3 程度 25枚もしくは在庫状況により小ロットから対応可能です。 ●詳しくはお...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

FZウェーハ　FZシリコン製品　パワーデバイス用NTDシリコン

半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます

r＜111＞ ○伝導型（ドーパント）：N(Phosphorus) ○抵抗率：30-500,600 オーム　程度 ○抵抗率公差：+/-10％　程度 ○面内抵抗率分布：< 3－8%　程度 ○キャリアライフタイム：> 200µsec ○酸素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ○炭素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ●詳しくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

測定器『SRS-2010』

カスタマイズ可能な拡がり抵抗測定器

『SRS-2010』は、2探針法の拡がり抵抗測定システムです。 試料の深さ方向の抵抗率分布、エピタキシャル層の厚さ、PN接合の深さ、 キャリア濃度分布を求めることが可能です。 数mm角の領域から、数百μm程度のパターン領域の分析ができます。 測定した拡がり抵抗から、較正曲線を用いて低効率を算出します。 お客様の要望に応じ、様々...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社