• 廃水処理システム「AT-BCシステム」 製品画像

    廃水処理システム「AT-BCシステム」

    PR低コストで廃水処理能力を大幅に向上可能!廃水処理設備を止めることなく増…

    【増設】 「処理施設の能力不足」や「設置場所が無く増設が困難」といった悩みを AT-BC装置を既設槽上に載せるだけで一発解決!低コストで廃水処理能力を大幅に向上させることができます。活性汚泥法と回転生物接触法の2つの処理法を進化させた廃水処理システムです。 【特長】 ■廃水を止める事無く増設が可能 ■工期は2週間程度 ■既設槽上にAT装置を載せるだけで能力が倍以上に ■設備投資費用は2...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社バチルテクノコーポレーション

  • 【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価 製品画像

    【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

    シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

    シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用いたXAFS測定では試料表面から数十nmの深さの情報を検出するため、非破壊でバルク・界面における構造および結合状態を解析することが可能です。 本資料ではXAFSを用いてシリコン酸化膜の中間酸化物の有無を調査...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング 製品画像

    【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング

    太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます

    (PL)と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した事例を以下に示します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察 製品画像

    【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

    FIB法による特定箇所の平面TEM観察

    ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜)が確認できます。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価 製品画像

    【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

    光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

    シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です(式1)。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出す...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】撥水箇所の成分分析 製品画像

    【分析事例】撥水箇所の成分分析

    TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

    密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラフィンオイルと推定される成分が確認されました。T...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価 製品画像

    【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

    XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

    回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン(SiN)膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法:XAFS・XPS 製品分野:太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的:電子状態評価 詳しくは資料をダウンロー...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】低分子シロキサンの定量分析 製品画像

    【分析事例】低分子シロキサンの定量分析

    アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します

    す。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出ることが知られており、シロキサンのアウトガス量を調査しておくことは重要です。 本資料では、シリコンチューブを200℃で加熱した際の環状ジメチルシロキサンの発生量を調査した事例を紹介します。。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価 製品画像

    【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価

    対象元素に応じて測定条件を選択

    フレキシブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ウエハ表面の金属・有機物汚染評価 製品画像

    【分析事例】ウエハ表面の金属・有機物汚染評価

    複数手法の分析結果より、複合的に評価

    析・評価することで発生原因を究明し、不具合を改善することができます。本資料では、Siウエハ表面に付着した汚染をICP-MSとSWA-GC/MS※で複合的に分析した事例をご紹介します。 ※SWA(シリコンウエハアナライザー)-GC/MSとは、ウエハごと電気炉で加熱して有機物をガス化し、GC/MSで測定する手法です。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査 製品画像

    【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

    超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

    パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm~20mm程度...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】XPS多点測定による広域定量マッピング 製品画像

    【分析事例】XPS多点測定による広域定量マッピング

    最大70×70mm領域の組成分布評価

    XPS多点測定による広域定量マッピングの事例をご紹介します。 シリコンウエハ上の有機物残渣について、以下の手順で評価いたしました。ピーク強度ではなく存在量(原子濃度)をグラフ化するため、試料凹凸等の影響を受けにくく、且つ広域でのデータ取得が可能です。 試料表面付着...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価 製品画像

    【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

    TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

    TOF-SIMSで得られる分子情報の深さ方向分析では、(1)深さ方向分解能が良い、(2)酸化物・窒化物・ふッ化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、(3)微量な状態の評価が可能、(4)OHのモニターが可能、(5)相対的なサンプル間の比較(膜厚・組成)が可能、(6)イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化膜の結果をまと...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価 製品画像

    【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

    光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

    シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程から膜厚を見積もります(式1)。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

1〜13 件 / 全 13 件
表示件数
45件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。

  • 4校_0617_orionkikai_300_300_2045050.jpg