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PRなぜ、インライン分析がいま重要なのか?人手不足や労働時間規制に対応する…
無料オンラインセミナーのご招待です。 フォスのインライン成分分析装置について深掘りし、 製造プロセスの最適化と生産性の向上にどのように寄与するかをご紹介。 技術トレンドや、各業界でお使い頂けるアプリケーションを中心とした活用事例や応用例も紹介し、 人手不足や労働時間規制に対応するための製造プロセス改善のヒントを得られます。 乳業や食肉、飼料、穀物分野などの担当者の方に特におススメのセ...
メーカー・取り扱い企業: フォス・ジャパン株式会社
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PR汚泥処分費削減に貢献&リサイクルにも!食品残渣、その他廃棄物も乾燥でき…
ボイラからの蒸気を熱源とした蒸気ジャケット(間接加熱)による乾燥熱と、効率の良い熱伝達を考えた遠心造粒で乾燥させる、 安全で容易に運転ができる間接加熱式縦型乾燥機です。 ◇排水処理施設で排出される汚泥だけではなく、食品残渣やその他廃棄物等も乾燥できます。 ◇高速撹拌により乾燥過程でダマになりやすい原料も顆粒状になるので、処理時間も短縮できます。 【特長】 ■幅広い汚泥を乾燥できる ■様々な原料...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社西原ネオ
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X線CTによる観察事例
む現象が発生することがあります。この現象が発生した電池を調査する場合、内部に溜まったガスや電解液等による反応が懸念され、加工には危険を伴うことから非破壊で内部の構造を確認する必要があります。 本事例では充放電を繰り返したリチウムイオン二次電池の内部をX線CTを用いて観察しました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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球体形状試料の評価事例
板等の平坦試料だけではなく、球体形状や湾曲形状の試料でも、曲率の影響を受けにくく、平坦試料と同様に特定箇所を狙って測定することができます。 以下は表面形状が異なる半田ボール表面の酸化膜厚を評価した事例です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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炭素材料中の官能基や不純物などに起因する脱ガスについて評価可能です
、カーボンナノチューブへの水素貯蔵など、炭素材料は真空中での用途が増えてきています。そのため真空中での炭素材料からの脱ガスを評価することは、今後の炭素材料の応用の上で重要なポイントとなります。 本事例では真空中において試料からの脱ガスが評価できるTDS(昇温脱離ガス分析法)でグラフェンからの脱ガス分析を実施した事例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ppmオーダーの微量金属も評価可能です
って評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセラミックス材料に微量含まれるCeの価数を評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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部材同士を接触させ、実プロセスに近い環境での脱ガス評価が可能
のできない工程のひとつです。 金属とはんだが接触した状態で加熱した際の脱ガスは、ボイドの原因となることが知られています。 以下に、銅板にはんだを乗せた状態でTDS分析(昇温脱離ガス分析)を行った事例を紹介します。TDSは部材の加熱に伴う脱ガスを評価可能です。TDS装置内で銅板とはんだを接触させ同時に加熱することで、実プロセスに近い環境での脱ガスを捉えることができました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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~XPSと計算シミュレーションの比較から~ 価電子帯スペクトルからの…
子帯スペクトルが現れます。本資料では、Sn酸化物に対して第一原理計算によって算出した状態密度とXPSによって取得した価電子帯スペクトルを比較、考察することで、Sn酸化物に対する還元処理の検証を行った事例をご紹介します。 計算シミュレーションを用いることで取得したXPSスペクトルの理解を深めることが可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です
結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料解体から測定まで一貫して対応します
本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM(走査型静電容量顕微鏡)を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的か...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例
パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm~20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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スマートフォン部品のリバースエンジニアリング
市販品のスマートフォンからレンズ、CMOSセンサチップをそれぞれ取り出し、評価した事例をご紹介します。 目的に応じて研磨・FIB加工により、平面、断面を作製し、TEM,SEMにより層構造やレイヤーを確認しまた。さらに、EDXにより膜種の同定を行いました。MSTでは、解体から分析まで...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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感覚的な製品の出来映えを定量評価可能
れに併せて表面に貼る保護フィルムも機能が多様化しています。 今回、指紋防止及び反射防止機能を持つ2種(A,B)のフィルムについて、AFM分析により、手触りのような感覚を粗さという観点で定量評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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デバイス内部の構造を複合的に評価します
MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線CTを用いてサンプル全体の内部構造を観察し、特異箇所を探索しました。続いて、ビア上に確認された特異的な構造物について、FIB-SEMを用いて詳細な構造を確認しました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価
基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です
スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料ではSi基板上のSiN膜について、膜中の組成分布評価を行った事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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数μmの深さまで深さ方向分析を行います
が可能です。 XPSでは深さ方向の組成分布に加えて結合状態の評価も可能なため、装置部材表面の変色の原因調査などに適しています。 本資料ではターボ分子ポンプの羽の変色部について、XPSで評価した事例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法
半導体や液晶などの製造が行われているクリーンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染(分子状汚染)を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。 ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...詳しいデータはカタロ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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複合解析により特定の有機成分の脱離について温度依存性評価が可能です
TDS(昇温脱離ガス分析法)は真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温しながら脱離成分と脱離温度を確認できる手法です。さらに有機物を同定できるGC/MS(ガスクロマトグラフィー質量分析法)とTDSの結果を組み合わせて解析することで、真空中において、特定の脱離成分の脱離温度について評価が可能です。 以下にグラフェンについてTDSとGC/MSの複合解析を実施した例をご紹介します。...詳しいデータはカ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます
TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料断面における応力分布を確認することが可能です
単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AFM :原子間力顕微鏡法
AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング
代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice&Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TDS(昇温脱離ガス分析法)で金属中水素の脱離量の評価が可能です
鋼材など多くの金属材料は、常温で結晶格子内を拡散する拡散性水素により劣化(水素脆化)することが知られています。今回は水素を添加したステンレス板(SUS316L)について、TDSで水素の脱離量を評価した例を示します。150℃付近の低温域で拡散性水素と考えられる脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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分子動力学計算によるカーボンナノチューブ曲げ変形シミュレーション
ナノ材料に外力を加えた時の形状変化、歪みエネルギーの評価が可能
ています。一方で、形状変化に伴う物性の変化も知られており、外力に対する変形や歪みの評価が求められています。本資料では、分子動力学計算を用いて単層カーボンナノチューブの曲げ変形シミュレーションを行った事例を紹介します。シミュレーションを行うことで、実測からは評価が難しい原子レベルでの形状変化の観察や歪みエネルギーの算出が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【資料】リチウムイオン二次電池電解液成分の分布シミュレーション
電解液界面近傍の模式図や電解液中の溶媒和構造などを図を用いて詳しく掲載…
当資料では、有効遮蔽媒質法とReference Interaction Site ModelをハイブリッドさせたESM-RISM法を用いて、電解液成分のミクロな分布をシミュレーションによって評価した事例をご紹介。 当手法は二次電池だけでなく、燃料電池、各種触媒反応や金属表面の 腐食・防食など広範な分野での応用が期待されます。 【掲載内容】 ■概要 ■データ ・負極(グラファイト...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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負極の断面構造・表面形状、活物質断面の元素マッピング像など複合的にアプ…
・化学結合状態の 制御が求められています。 当資料では、車載用電池の炭素系の負極活物質表面に形成されたSEI被膜を SEM,TEM,TEM-EELS,TOF-SIMS,XPSにより評価した事例を紹介しています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【書籍】造粒プロセスの最適化と設計・操作事例集(No.2227)
【試読できます】★ 各種造粒のメカニズム、プロセス、操作パラメ…
株式会社技術情報協会 -
CPP15μmのフィルム厚を実現するラミネート加工『イチゴラミ』
CPP15μmの極薄押出しラミネート加工による、軽包装フィルム…
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