• 小型通気式固体培養装置 製品画像

    小型通気式固体培養装置

    PRシンプルな構造とすぐれた操作性!微生物によるものづくり

    『小型通気式固体培養装置』は、実用規模の固体培養装置と同質の 基質通気式品温制御を採用した製品です。 産業化を想定した通気式固体培養を再現性高く行うことが可能。 また、品温制御が連続基質通風方式のため、産業化を見据えた培養実験を 小規模で再現性高く行うことが出来ます。 原料投入から洗浄までの全ての工程を一人で対応できるシンプルな 構造と優れた操作性は、高い評価を得ています。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジワラテクノアート

  • 洗剤内製化でコスト削減|高pHアルカリ電解水生成装置 製品画像

    洗剤内製化でコスト削減|高pHアルカリ電解水生成装置

    PR【FOOMA出展 実物展示あり】pH 13.2 のアルカリ電解水を高効…

    【FOOMA JAPAN 2024 6/4-7出展。実物展示あり。4B-01(東4ホール)】 『高pHアルカリ電解水生成装置』は、最低限の設備環境で使用可能な製品です。 業界最高水準pH13.2のアルカリ電解水を低コストで生成。酸性水、塩素ガス、廃水が発生しないため、廃液処理コストや管理は不要です。 電解質は環境に配慮した食品添加物を採用しており、環境汚染物質はありません。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社バンガードエンタープライズ

  • 【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価 製品画像

    【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価

    ppmオーダーの微量金属も評価可能です

    って評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセラミックス材料に微量含まれるCeの価数を評価した事例をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析 製品画像

    【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

    シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

    法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価 製品画像

    【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

    高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

    知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察 製品画像

    【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

    金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

    結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査 製品画像

    【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

    超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

    パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm~20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価 製品画像

    【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価

    基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

    スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料ではSi基板上のSiN膜について、膜中の組成分布評価を行った事例をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析 製品画像

    【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

    像シミュレーションを併用した結晶形の評価

    正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在 製品画像

    【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

    ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

    β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

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  • 【分析事例】クリーンルーム内有機化合物の評価方法 製品画像

    【分析事例】クリーンルーム内有機化合物の評価方法

    GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法

    半導体や液晶などの製造が行われているクリーンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染(分子状汚染)を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。 ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...詳しいデータはカタロ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価 製品画像

    【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

    温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

    TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価 製品画像

    【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

    試料断面における応力分布を確認することが可能です

    単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】AFMデータ集 製品画像

    【分析事例】AFMデータ集

    AFM :原子間力顕微鏡法

    AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】DRAMチップの解析 製品画像

    【分析事例】DRAMチップの解析

    製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

    代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice&Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価 製品画像

    SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

    ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

    造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...

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