• ネジ山をなめてしまった…その課題『エンザート』が解決します! 製品画像

    ネジ山をなめてしまった…その課題『エンザート』が解決します!

    PR壊れたネジ穴を再生・補修して強度もアップ!タップ立て不要で、めねじやコ…

    部品のネジ山(めねじ)が破損した場合、どうしていますか? 「ヘリサート・リコイルなどのコイルインサートを使用している」 「サイズアップで立て直しをしている」 「部品交換をしている」 など様々な対応をされているかと思います。 エンザートならその部品を救えるかもしれません! ケー・ケー・ヴィ・コーポレーションが取り扱う『エンザートSBE』は、垂直出しが容易な三つ穴タイプのインサートナットです。 先...

    メーカー・取り扱い企業: ケー・ケー・ヴィ・コーポレーション株式会社

  • 【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699 製品画像

    【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699

    劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

    半導体を多く使う電子機器では各部品をはんだ付けにより実装しています。このはんだ接合部に不良が生じると電子機器に不具合が生じます。その為はんだに関して濡れ性を評価することは部品の信頼性を評価するうえで重要です。今回は疑似的に試料を劣化させ、はんだの濡れ性がどうなるかを検証しました。恒温恒湿試験後、電極表面の濡れ性が変化することが分かりました。 測定法:恒温恒湿試験,はんだ濡れ性試験 製品分野:パ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈 製品画像

    『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

    非破壊分析の手法(超音波顕微鏡法・X線CT法)の基礎的な解説や、代表的…

    MSTは、非破壊検査の受託分析サービスを行っています。 実際の分析事例や、分析手法の基礎的な解説を掲載した冊子を ご希望の方全員に無料でプレゼント中です。 【掲載内容(一部)】 ■X線・超音波を用いた非破壊分析の手法紹介  ・超音波顕微鏡法  ・X線CT法  ・in situ X線CT測定 ■分析事例  ・炭素繊維強化プラスチック(CFRP)内部の繊維配向解析  ・発泡...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】粘着シートによる電子部品の汚染評価

    有機汚染の定性・定量・分布を複数手法の組み合わせで評価

    半導体デバイスの製造工程では、ダイシング用テープなど様々な粘着シートが使用されます。粘着シートは異物・汚染の原因となることがあります。そこで、本事例ではTOF-SIMS・SWA-GC/MSを用いて複合 的に評価した結果をご紹介します。TOF-SIMSでは、粘着シート各材料の定性を行うことで、異物・汚染がどの粘着シートに起因するのか、また粘着シートのどの層に起因するのか同定が可能です。またSWA-...

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  • 【分析事例】α-アルミナ(α-Al2O3)のTDS分析 製品画像

    【分析事例】α-アルミナ(α-Al2O3)のTDS分析

    セラミックスの昇温脱離ガス分析

    熱的に安定なα-アルミナは耐熱材料、半導体パッケージ、半導体製造装置の部品など、幅広い用途で 利用されており、中でも緻密質のα-アルミナは真空装置の部材としても用いられます。しかしこのような 部材が昇温された際に発生するガスは製品や装置に悪影響を及ぼすことがあるため、部材からの脱ガ スについて把握しておくことが重要です。今回、多孔質と緻密質のα-アルミナについて、TDS分析(昇温 脱離ガス...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】GaN基板の表面形状分析 製品画像

    【分析事例】GaN基板の表面形状分析

    AFMによるステップ-テラス構造の可視化

    ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布 製品画像

    【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

    SiO2膜の不純物の評価

    アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定 製品画像

    【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

    ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

    半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法:ICP-MS・GDMS 製品分野:パ...

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  • 【分析事例】TDSによる腐食性ガス分析 製品画像

    【分析事例】TDSによる腐食性ガス分析

    製品に悪影響を及ぼすガスを確認できます

    エッチングガス等の腐食性ガスは、半導体や電子部品、装置等の劣化に大きな影響を与えます。 以下に、TDS(昇温脱離ガス分析法)を用いて腐食性ガスを捉えた事例を示します。腐食性ガスであるHClが、試料の昇温に伴って脱離することが確認されました。 TDSは昇温しながらm/z 2~199の脱ガスを捉えられることから、腐食性ガスの種類や量、脱離の温度依存性を調査するのに有効です。...詳しいデータはカタ...

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