ミートスライサー『ギャラクシーSライン　WPN-G322S』

PRギャラクシーSライン 高速ミートスライサー最高クラスのギャラクシー …

★FOOMAJAPAN2024出展機種★ 新しい「スライサーのスタンダードモデル」誕生。 これまでご好評いただいている使いやすさはそのまま、より安全により効率的に使用いただける進化したギャラクシー。 生産性の向上、生産する商品の品質向上に貢献。...【クオリティパフォーマンス】 「薄切り商品を作りたい」 「いろんな商品を作りたい」 ・信頼がありメンテナンスが容易な丸刃物によるスライスを...

メーカー・取り扱い企業： ワタナベフーマック株式会社 本社

異物除去用 格子型マグネット『DGH/DGSシリーズ』

PR金属異物を吸着除去し、食品などの信頼性確保に貢献。製粉、製糖ラインなど…

『DGH/DGSシリーズ』は、ホッパー内や配管内などに取り付けることで、 格子状に並んだマグネットバーの強い磁力により、金属異物を吸着・除去できる異物除去器です。 食品生産ラインなどのコンタミ対策に貢献するほか、 溶接により作られた継ぎ目のない構造のため、クロスコンタミのリスク低減にも貢献します。 また、清掃作業の省力化のニーズに応え、さや管付きの「簡易清掃タイプ」もご用意。 さ...

メーカー・取り扱い企業： ダイカ株式会社

ドイツ diondo工業CT測定サービス-繊維複合材料分析

低価格・高精度・正確な非破壊検査 5万円～/1 検体

繊維複合材料の複雑な内部構造と性能要件により、非破壊検査が重要になります diondo の工業用 CT 検査システムは、複合材料の繊維構造や内部欠陥などを明確に表示し、研究者が材料の構造特性、機械的特性、熱伝...

メーカー・取り扱い企業： ND GROUP 日本支社

蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

れるものであり、得られたスペクトルを解析することにより、蛍光寿命を算出します。 物質の蛍光寿命を測定することにより発光過渡現象をよりダイナミックに把握できます。このため、蛍光寿命測定は有機EL材料などの有機材料、太陽電池、光触媒、生化学等の物性研究における有効な手段の一つです。本装置では、ピコ秒レーザーと分光器及びストリークカメラを組み合わせることにより、ナノ秒やマイクロ秒スケールの時間分解...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルクの中まで進んでいるような材料の評価に有効です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

誘電体層内に形成される低抵抗な伝導パスを可視化することは絶縁劣化現象を解明する重要な手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を組み合わせることで、温度変化に伴う誘電体材料の絶縁劣化を可視化した事例を紹介します。 測定法：SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) 製品分野：誘電体材料、コンデンサ、MLCC 分析目的：抵抗値分布、電流分布、絶縁劣化評価 詳しくは資...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

分析装置を導入し、非破壊分析の受託サービスを開始します。 ●X線CT X線照射により試料内部構造の二次元透過像を取得。試料を回転させた連続撮影データから、三次元CT画像を生成します。 金属材料はもとより、樹脂やカーボン素材等の有機系素材に威力を発揮します。 ●超音波顕微鏡 試料に超音波を照射し、その反射波を検出。超音波は空気層で強い反射を起こすため、試料内部の空隙やクラックの観察...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂硬化剤の分析

2液性エポキシ樹脂の硬化剤成分の構造推定

する必要があります。本資料では、ポリメルカプタン硬化剤を硬化前の溶液状態で測定し、イオン化法(EI法とFI法)を併用することで構造推定した事例を紹介します。 測定法：GC/MS 製品分野：高分子材料・電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価

X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能

タと比較しました。その結果、長時間使用品は局所的にリングの太さが細くなっている箇所が検出され、そこからリークが起きていることが示唆されました。 測定法：X線CT 製品分野：製造装置・部品、高分子材料、日用品 分析目的：形状評価、膜厚評価、構造評価、故障解析・不良解析、劣化調査・信頼性評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice＆Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice＆Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法：Slice＆View・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

超低温プローブによる高感度NMR分析

微量成分のNMR分析が可能です

核磁気共鳴分光法(NMR)は、有機物をはじめとした様々な化合物を対象として、分子構造や分子間相互作用、分子の運動性などの多様な情報を得ることができる分析手法です。本資料では超低温プローブを用いることで、汎用的な室温プローブに比べてより高感度な測定を行った事例を紹介します。...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

X線CTを用いたin situ測定の 受託分析サービス

加熱/冷却や応力・圧縮の負荷状態での三次元構造観察が可能です。

様々な負荷状態下での三次元構造観察...●引張り試験 試料を引張る方向に応力を印加した状態でX線CT測定をすることが可能です。 ●圧縮試験 試料を圧縮する方向に圧力を印加した状態でX線CT測定をすることが可能です。 ●温度調節 ステージの温度を調節した状態でX線CT測定をすることが可能です。...

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【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。...

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【分析事例】バッテリー正極材の活物質抽出およびデータ解析

深層学習×データ解析によりSEM像から活物質の粒径を求めました

深層学習により、画像から目的の対象物を抽出することが可能です。また、得られた対象ごとに領域を解析することで数値として情報を得ることができます。 今回、バッテリー正極材の断面SEM像に対して、深層学習を用いて活物質粒子の抽出、クラックの検出をしました。Slice&Viewデータのような3Dデータに対しても同様に抽出が可能です。3Dデータからクラック有、クラック無粒子を抽出し、それぞれの粒径を算出し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...

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