薄膜評価装置『分光エリプソメーター』

【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…

『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 【主な評価・測定項目】 ■薄膜の膜厚値 ■エピ膜厚値 ■屈折率、消衰係...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。...【特徴】 ■非接触CV/IVインライン測定 ■超高感度汚染管理（E8レベル鉄濃度測定） ■パタ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500

FastGate　インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置

ＵＳＬ（極浅層<40nm）のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜（<20Å）の電気的膜厚測定 SiON 膜，High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚（CET/EOT) ・フラットバンド電圧（VFB) ・界面準位等...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社